[实用新型]一种集成电感的LED芯片、电路及装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光二极管领域，特别涉及一种集成电感的LED芯片、电路及装置。

背景技术

发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。

传统中，电感是否接收到外部的无线讯号，通常需要再添加一个LED来进行显示，而通常电感和LED是分开的两个结构，在同一电路中，使用电感和LED时，需要占用不同的地方来分别焊接电感和LED芯片。

实用新型内容

本实用新型为解决上述技术问题，提供一种能够解决知晓电感是否接收外部的无线讯号和需要占用不同的地方焊接电感和LED芯片的集成电感的LED芯片、电路及装置。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种集成电感的LED芯片，包括电感、LED结构及衬底；

所述LED结构包括n层、发光层及p层，所述发光层设置在n层和p层之间，所述n层生长在衬底上；

所述电感设置在衬底上，所述电感的一端连接与LED结构的正极。

进一步优化，所述电感为贴片电感。

进一步优化，所述电感和LED结构生长在衬底的同一侧。

进一步优化，所述电感生长在衬底的一侧，所述LED结构生长在衬底的另一侧。

进一步优化，所述衬底为GaN衬底。

进一步优化，所述LED结构为GaN LED结构；所述n层为n-GaN层，所述发光层为MQW发光层，所述p层为P-GaN层。

进一步优化，所述衬底为GaAs衬底。

进一步优化，所述LED结构为四元LED结构，所述n层为n-GaAsP渐变层，所述发光层为n-AlGaInP发光层，所述P层为P-GaP层。

发明人还提供了另一个技术方案：一种电路，所述电路包括上述所述LED芯片。

发明人还提供了另一个技术方案：一种装置，所述装置包括上述所述电路。

本实用新型有益效果是：将电感和LED结构同时生长在同一衬底在，将电感集成在LED芯片上，使得电感和LED不需要同时占用电路板的两个地方，可以使尺寸微缩更小，而可以通过LED结构检测电感是否接收到外部的讯号。

附图说明

图1为本实施例所述集成电感的LED芯片的一种结构示意图；

图2为本实施例所述集成电感的GaN LED芯片的一种结构示意图；

图3为本实施例所述集成电感的四元LED芯片的一种结构示意图。

标号说明：

200、电感；

210、GaN衬底；

220、GaN LED结构；

310、GaAs衬底；

320、四元LED结构。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

请一并参照图1，如图所示可知，本实用新型一种集成电感的LED芯片，包括电感200、LED结构及衬底；

所述LED结构包括n层、发光层及p层，所述发光层设置在n层和p层之间，所述n层生长在衬底上；

所述电感200设置在衬底上，所述电感200的一端连接与LED结构的正极。

首先通过制造长晶圆，在长晶圆的基础上做出LED元件，最后再在衬底上做出电感200元件。

将电感200和LED结构同时生长在同一衬底在，将电感200集成在LED芯片上，使得电感200和LED不需要同时占用电路板的两个地方，可以使尺寸微缩更小，而可以通过LED结构检测电感200是否接收到外部的讯号。

电感200产生感应电流的条件为：一部分导体在磁场中做切割磁感线运动，即导体在磁场中的运动方向和磁感线的方向不平行；电路闭合，在磁场中做切割磁感线运动的导体两端产生感应电压，是一个电源.若电路闭合，电路中就会产生感应电流。

读写器通过天线发出一定频率的RF讯号，当靠近电感200，即无线感应产生感应电流，进而驱动LED发光。让用户知晓电感200是否接收到外部的讯号。

在本实施例中，所述电感200为贴片电感。贴片电感(Chip inductors)，又称为功率电感、大电流电感和表面贴装高功率电感。具有小型化，高品质，高能量储存和低电阻等特性。