[实用新型]一种集成电感的LED芯片、电路及装置有效
| 申请号： | 201720955724.0 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN206947371U | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李华山;黄宏达;黄朱彬;谢洋 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L27/15;H01L23/64 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)35219 | 代理人： | 徐剑兵,林祥翔 |
| 地址： | 351117 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 电感 led 芯片 电路 装置 | ||
1.一种集成电感的LED芯片，其特征在于，包括电感、LED结构及衬底；
所述LED结构包括n层、发光层及p层，所述发光层设置在n层和p层之间，所述n层生长在衬底上；
所述电感设置在衬底上，所述电感的一端连接与LED结构的正极。
2.根据权利要求1所述集成电感的LED芯片，其特征在于，所述电感为贴片电感。
3.根据权利要求1所述集成电感的LED芯片，其特征在于，所述电感和LED结构生长在衬底的同一侧。
4.根据权利要求1所述集成电感的LED芯片，其特征在于，所述电感生长在衬底的一侧，所述LED结构生长在衬底的另一侧。
5.根据权利要求1所述集成电感的LED芯片，其特征在于，所述衬底为GaN衬底。
6.根据权利要求5所述集成电感的LED芯片，其特征在于，所述LED结构为GaN LED结构；所述n层为n-GaN层，所述发光层为MQW发光层，所述p层为P-GaN层。
7.根据权利要求1所述集成电感的LED芯片，其特征在于，所述衬底为GaAs衬底。
8.根据权利要求7所述集成电感的LED芯片，其特征在于，所述LED结构为四元LED结构，所述n层为n-GaAsP渐变层，所述发光层为n-AlGaInP发光层，所述p层为P-GaP层。
9.一种电路，其特征在于，所述电路包括权利要求1至8任一所述LED芯片。
10.一种装置，其特征在于，所述装置包括权利要求9所述电路。
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