[实用新型]钙钛矿太阳能电池及组件有效
申请号: | 201720952575.2 | 申请日: | 2017-08-01 |
公开(公告)号: | CN207009483U | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 田清勇;范斌 | 申请(专利权)人: | 苏州协鑫纳米科技有限公司;苏州协鑫能源技术发展有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 王乐 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏领域,特别是涉及一种钙钛矿太阳能电池及组件。
背景技术
钙钛矿太阳能电池是利用钙钛矿材料作为吸光材料的一类太阳能电池。钙钛矿太阳能电池具有高开路电压(>1V)、低温低能耗(<200℃)、适合于柔性衬底材料等优势,可以兼顾效率和成本,成为研究的热点。
钙钛矿太阳能电池的一般结构从上到下依次为:载体玻璃、透明导电薄膜电极、电子传输层、钙钛矿光敏层、空穴传输层、金属电极。而电子传输层一般为二氧化钛层。
但是,钙钛矿太阳能电池,在使用一段时间后,钙钛矿光敏层被破坏,导致钙钛矿太阳能电池寿命降低。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有技术中钙钛矿太阳能电池的寿命较低的问题,提供一种寿命长的钙钛矿太阳能电池。
一种钙钛矿太阳能电池,包括载体玻璃、设置在所述载体玻璃上的透明导电薄膜电极、金属电极、以及位于所述透明导电薄膜电极与所述金属电极之间的电池主体结构;
所述电池主体结构包括钙钛矿光敏层、位于所述钙钛矿光敏层一侧的二氧化钛层、以及位于所述钙钛矿光敏层另一侧的空穴传输层;
所述钙钛矿太阳能电池还包括下转换发光层;所述下转换发光层设置在所述载体玻璃上。
上述钙钛矿太阳能电池,下转换发光层将太阳光的紫外光转化为可见光,也就是说,使紫外光不能到达二氧化钛层,从而避免二氧化钛层在吸收紫外光后生成高能光生电子和空穴,进而避免了高能光生电子和空穴对钙钛矿光敏层造成的破坏,从而延长了钙钛矿光敏层的寿命和稳定性,最终提高了钙钛矿太阳能电池的使用寿命。
在其中一个实施例中,所述下转换发光层的厚度为20nm~100nm。
在其中一个实施例中,所述下转换发光层位于所述载体玻璃远离所述透明导电薄膜电极的一侧。
在其中一个实施例中,所述下转换发光层镀覆在所述载体玻璃上。
在其中一个实施例中,所述下转换发光层包括透光基体以及分散在所述透光基体中的下转换发光材料颗粒。
在其中一个实施例中,所述下转换发光材料颗粒的平均粒径为20nm~50nm。
在其中一个实施例中,所述透光基体为紫光外固化胶。
在其中一个实施例中,所述电池主体结构中的所述二氧化钛层靠近所述透明导电薄膜电极设置。
在其中一个实施例中,所述二氧化钛层的厚度为20nm~100nm。
本实用新型还提供了一种钙钛矿太阳能组件。
一种钙钛矿太阳能组件,包括本实用新型所提供的钙钛矿太阳能电池。
上述钙钛矿太阳能组件,由于采用本实用新型所提供的钙钛矿太阳能电池,故而提高了钙钛矿太阳能电池的使用寿命,进而提高了钙钛矿太阳能组件的使用寿命。
附图说明
图1为一实施例的钙钛矿太阳能电池的截面结构示意图。
图2为图1中的下转换发光层的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合具体实施方式,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参见图1,本实用新型一实施例的钙钛矿太阳能电池100,包括载体玻璃140、设置在载体玻璃140上的透明导电薄膜电极120、金属电极130、以及位于透明导电薄膜电极120与金属电极130之间的电池主体结构110。其中,电池主体结构110包括钙钛矿光敏层111、位于钙钛矿光敏层111一侧的二氧化钛层112、以及位于钙钛矿光敏层111另一侧的空穴传输层113。钙钛矿太阳能电池100还包括下转换发光层150;下转换发光层150设置在载体玻璃140上。
其中,载体玻璃140的主要作用是,作为透明导电薄膜电极120的载体。在本实用新型中,载体玻璃140同时作为下转换发光层150的载体。也就是说,透明导电薄膜电极120与下转换发光层150均承载于载体玻璃140上。载体玻璃140可以选用任一导电玻璃中用的基体玻璃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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