[实用新型]一种硅片顶升梳齿机构有效
| 申请号: | 201720892980.X | 申请日: | 2017-07-21 |
| 公开(公告)号: | CN207068899U | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
| 发明(设计)人: | 张学强;戴军;张建伟;贾宇鹏 | 申请(专利权)人: | 罗博特科智能科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/687;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 韩飞 |
| 地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 梳齿 机构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能硅片处理领域,特别涉及一种硅片顶升梳齿机构。
背景技术
在太阳能硅片工艺处理步骤中,需要先进行插片步骤,即将多片硅片相互间隔地放置在石英舟上,然后进行工艺处理,再将工艺处理完后的硅片从石英舟内取出(取片步骤)以备后续的工艺操作。在现有技术中,仍采用由人工操作的生产方式,生产效率受到一定限制,同时硅片容易在插片及取片过程中受到不同程度的污染及划伤,影响产品质量。
针对上述问题催生出一批硅片转移装置,主要利用三种抓取方式对硅片进行抓取,即:夹持式、电磁吸附式、真空吸盘式等,其中,由于硅片厚度很薄,材质较脆,夹持式容易造成硅片损坏,电磁吸附式及真空吸附式结构较为复杂,零件加工难度较大,真空吸附式由于其吸盘的抽气孔在吸盘中心位置,在真空抽气和充气的瞬间,气体会对硅片造成较大的局部冲击,并且为了获得足够的吸附力,往往会减少吸盘与硅片的接触面积,使形成的真空吸附腔集中在吸盘中心处,这样会造成硅片中心受力集中而导致硅片破损。基于上述技术问题,有必要开发一种全新的硅片转移方式。
有鉴于此,实有必要开发一种硅片顶升梳齿机构,用以解决上述问题。
实用新型内容
针对现有技术中存在的不足之处,本实用新型的目的是提供一种硅片顶升梳齿机构,其在提高硅片插片取片效率的同时,还能够通过提高对硅片支撑力度均匀性来减少在转移过程中的破损率,提高了生产效率,降低了生产成本。
为了实现根据本实用新型的上述目的和其他优点,提供了一种硅片顶升梳齿机构,包括:
梳齿组件;以及
用于驱动所述梳齿组件升降的顶升组件,
其中,所述梳齿组件包括支撑架以及由该支撑架所支撑的梳齿,梳齿设有两组且相互平行间隔地设置,该梳齿由若干片梳齿片从左至右依次紧挨排列而成,梳齿片包括位于底部的基部及与基部相固接的延展部,该延展部的厚度小于基部的厚度,延展部相对于基部的一侧偏置设置从而使得相邻两片延展部间形成有沿竖直方向延伸的让位槽,延展部的顶部开设有沿竖直方向延伸的顶升槽。
优选的是,顶升槽的底部设有向梳齿内侧倾斜的安放斜面,所述安放斜面与水平面的夹角为30°~60°。
优选的是,顶升槽的深度不大于让位槽的深度。
优选的是,让位槽的厚度不小于顶升槽的厚度。
优选的是,顶升槽的顶部开口处设有使得所述顶部开口逐渐外扩的引导斜面。
优选的是,引导斜面与竖直方向之间的夹角为5°~15°。
优选的是,所述顶升组件包括:
固定座;以及
与固定座相固接的顶升部,
其中,顶升部包括驱动器及沿竖直方向延伸的导轨,所述导轨与支撑架相配接使得支撑架在所述驱动器的驱动下可沿所述导轨上下滑移。
优选的是,所述导轨的旁侧设有沿高度方向布置的高位位置传感器及低位位置传感器。
优选的是,梳齿的底部配接有安装盘,该安装盘由所述顶升组件所支撑。
本实用新型与现有技术相比,其有益效果是:
其在提高硅片插片取片效率的同时,还能够通过提高对硅片支撑力度均匀性来减少在转移过程中的破损率,提高了生产效率,降低了生产成本。
附图说明
图1为根据本实用新型所述的硅片顶升梳齿机构的立体图;
图2为根据本实用新型所述的硅片顶升梳齿机构主视图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明,本实用新型的前述和其它目的、特征、方面和优点将变得更加明显,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。在附图中,为清晰起见,可对形状和尺寸进行放大,并将在所有图中使用相同的附图标记来指示相同或相似的部件。在说明书中,诸如“前部”、“后部”、“上部”、“下部”、“顶部”和“底部”及其衍生词的相对术语应当被解释为是指如然后所述的或如在被讨论的附图中所示出的取向。这些相对术语是为了说明方便起见并且通常并不旨在需要具体取向。涉及附接、联接等的术语(例如,“连接”和“附接”)是指这些结构通过中间结构彼此直接或间接固定或附接的关系、以及可动或刚性附接或关系,除非以其他方式明确地说明。
参照图1及图2,硅片顶升梳齿机构1包括:
梳齿组件;以及
用于驱动所述梳齿组件升降的顶升组件,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





