[实用新型]包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管

权利要求书

1.一种包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管，其特征在于：包括衬底，衬底上设有沟道材料层，沟道材料层中部为栅电极区域，栅电极区域两侧分别为源极区域和漏极区域，栅电极区域上沉积有栅介质层，栅介质层上沉积有第一金属层，第一金属层上沉积有第二金属层，源极区域和漏极区域上分别沉积源、漏金属以形成源、漏电极。

2.根据权利要求1所述的包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管，其特征在于：所述第二金属层不被刻蚀剂腐蚀形成阻挡层，第一金属层被刻蚀剂腐蚀形成支撑层，第二金属层与第一金属层形成用于自对准的底切形状，从而构成自对准的源漏电极。

3.根据权利要求1所述的包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管，其特征在于：所述沟道材料层为石墨烯。

4.根据权利要求1所述的包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管，其特征在于：所述栅介质层为沉积的铝自氧化后形成的介质。

5.根据权利要求1所述的包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管，其特征在于：所述源、漏金属的厚度小于第一金属层的厚度。

6.根据权利要求1所述的包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管，其特征在于：所述衬底包括基底层和位于基底层上方的绝缘层。

7.根据权利要求6所述的包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管，其特征在于：所述绝缘层为 SiO₂、Si₃N₄、BN、Al₂O₃、HfO₂、AlN、SiC，Si、Sapphire、玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯材料 PET、聚酰亚胺 PI、聚二甲基硅氧烷中的一种或两种以上的混合物。