[实用新型]一种新型IGBT驱动装置

说明书

技术领域

本实用新型是一种新型IGBT驱动装置，属于半导体技术领域。

背景技术

绝缘栅双极晶体管IGBT安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，自关断、开关频率高(10-40kHz)的特点，是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。IGBT的驱动和保护是其应用中的关键技术。开关电源中大功率器件驱动电路的设计一向是电源领域的关键技术之一。普通大功率三极管和绝缘栅功率器件(包括VMOS场效应管和IGBT绝缘栅双极性大功率管等),由于器件结构的不同,具体的驱动要求和技术也大不相同。前者属于电流控制器件,要求合适的电流波形来驱动；后者属于电场控制器件,要求一定的电压来驱动。

现有技术公开申请号为CN201220605668.5的一种IGBT驱动装置，其包括：控制器，所述控制器具有第一输出端和第二输出端，并分别通过所述第一输出端和第二输出端输出第一控制信号和第二控制信号；第一驱动器，所述第一驱动器与所述控制器相连，所述第一驱动器根据所述第一控制信号产生第一驱动信号；第二驱动器，所述第二驱动器与所述控制器和所述第一驱动器相连，所述第二驱动器根据所述第一驱动信号和所述第二控制信号产生第二驱动信号以驱动IGBT。该IGBT驱动装置能够保护IGBT不会误导通而损坏，提高了可靠性。但是，现有技术由于没有对驱动装置进行可控的导通和关断处理，在过电压、过电流的情况下设备容易被损坏，安全性能与稳定性能不足。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种新型IGBT驱动装置，以解决现有技术由于没有对驱动装置进行可控的导通和关断处理，在过电压、过电流的情况下设备容易被损坏，安全性能与稳定性能不足的问题。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种新型IGBT驱动装置，其结构包括控制器、驱动底座、固定孔、驱动电路板、可控硅、三相IGBT模块、输出端，所述控制器与驱动底座采用面与面贴合的方式相连接，所述驱动底座垂直连接于控制器的下端表面，所述固定孔嵌入于驱动底座的上表面，所述驱动电路板通过电固定连接于驱动底座的上表面，所述可控硅固定连接于驱动电路板的内部，所述可控硅由硅晶体闸流管、连接口、金属接触片组成，所述连接口嵌入于硅晶体闸流管的上端表面，所述金属接触片均匀垂直排列于硅晶体闸流管的前端表面，所述可控硅通过金属接触片与驱动电路板相连接，所述三相IGBT模块通过电垂直连接于驱动电路板的上表面，所述输出端嵌入于三相IGBT模块的内部。

进一步的，所述控制器的左部上表面嵌入有活动连接孔，所述控制器的右部上表面垂直连接有连接头，所述连接头的表面贯穿有连接孔。

进一步的，所述活动连接孔的形状为椭圆形。

进一步的，所述驱动电路板是长度为30mm的矩形。

进一步的，所述金属接触片的数量为3-4个。

进一步的，所述驱动电路板与三相IGBT模块的数量均为3个。

进一步的，所述硅晶体闸流管的形状为螺栓形/平板形。

本实用新型的有益效果：通过设有可控硅，可以对驱动装置进行可控的导通和关断处理，避免过电压、过电流对设备产生影响，保证了设备的可靠工作，有效提高了设备的安全性能与稳定性能。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实用新型一种新型IGBT驱动装置的结构示意图。

图2为本实用新型可控硅的结构示意图。

图中：控制器-1、驱动底座-2、固定孔-3、驱动电路板-4、可控硅-5、三相IGBT模块-6、输出端-7、硅晶体闸流管-50、连接口-51、金属接触片-52、活动连接孔-10、连接头-11、连接孔-12。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。