[实用新型]具有多晶硅钝化遂穿复合结的P型双面晶硅电池

权利要求书

1.一种具有多晶硅钝化遂穿复合结的P型双面晶硅电池，其特征在于：包括衬底，衬底采用p型晶体硅片，p型晶体硅片的正面由里到外依次设置n+型晶体硅层、正面钝化减反射层以及穿透正面钝化减反射层并与P型晶体硅片接触的正面金属电极；p型晶体硅片的背面依次设置p++型硅膜层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层以及穿透背面钝化减反射层并与n++型硅膜层接触的背面金属电极。

2.如权利要求1所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的P型双面晶硅电池，其特征在于：p型晶体硅片采用p型单晶硅片或p型多晶硅片，p型晶体硅片的电阻率在0.3~10Ωcm、厚度在50~500um。

3.如权利要求1所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的P型双面晶硅电池，其特征在于：n+型晶体硅层的厚度在0.2~2um，方块电阻在20~200Ω/□。

4.如权利要求3所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的P型双面晶硅电池，其特征在于：p++型硅膜层采用硼掺杂的非晶硅、非晶氧化硅、微晶硅、微晶氧化硅或多晶硅，且厚度在10nm~10um。

5.如权利要求4所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的P型双面晶硅电池，其特征在于：p++型硅薄膜层与p型晶体硅层之间附带一层超薄氧化硅层，超薄氧化硅层的厚度在1~3nm。

6.如权利要求5所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的P型双面晶硅电池，其特征在于：n++型硅薄膜层采用磷掺杂的非晶硅、非晶氧化硅、微晶硅、微晶氧化硅或多晶硅，且厚度在10nm~10um。

7.如权利要求1-6任一项所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的P型双面晶硅电池，其特征在于：n++型硅薄膜层与p++型硅薄膜层之间附带一层超薄氧化硅层，超薄氧化硅层厚度在0~3nm。

8.如权利要求1-6任一项所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的P型双面晶硅电池，其特征在于：正面钝化减反射层至少包含a-SiNx、a-SiOx、a-SiCx、a-SiCxNy、a-SiNxOy中的任意一种，正面钝化减反射层的厚度在60~150nm，背面钝化减反射层至少包含a-SiNx、a-SiOx、a-SiCx、a-SiCxNy、a-SiNxOy、a-AlOx中的任意一种，背面钝化减反射层的厚度在60~150nm。

9.如权利要求1-6任一项所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的P型双面晶硅电池，其特征在于：正面金属电极为Ag、Ni/Ag、Ni/Cu、Ni/Cu/Sn或Ni/Cu/Ag电极中的任意一种，背面金属电极为Ag、Al、Ni/Ag、Ni/Cu、Ni/Cu/Sn或Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。