[实用新型]清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体晶片清洗领域，尤其涉及一种清洗晶片的清洗装置。

背景技术

以砷化镓（GaAs）为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料由于其独特的电学性能，在卫星通讯、微波器件、激光器及发光二极管领域有着十分广泛的应用。异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、LED等器件的制作需要在高质量的衬底表面用分子束外延或者有机金属化合物气相外延技术生长外延结构。随着半导体器件工艺制作的不断完善，器件尺寸越来越小，利用率也越来越高，半导体衬底的质量尤其是晶片表面的质量对器件的可靠性和稳定性影响也越来越大。

晶片清洗是获取高质量、高稳定性的半导体晶片重要的环节之一，也是半导体晶片加工最后一个环节，是获取高质量晶片表面不可或缺的步骤，而晶片清洗后表面的稳定性也是至关重要的。目前，几乎所有的半导体晶片的清洗都是采用人工清洗，由于晶片清洗对工艺要求很高，比如：清洗手法、药液浓度、药液温度、药液清洗时间、冲水时间等，如果采用人工清洗，每个人的习惯不一样，清洗手法不一样，有可能影响晶片清洗的一致性，而且人工清洗，在半导体制备外延工艺后，表面经常出现水痕、水印、吸笔印等缺陷。

因此，有必要设计一种新的清洗装置以解决上述技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述技术问题，提出一种清洗装置。

为实现前述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种清洗装置，用于清洗晶片，所述清洗装置包括一清洗缸、可升降并可旋转的一立柱、安装在立柱上的一底座、一气缸、一端固定在气缸上的一伸缩管、一控制器，所述气缸能够带动伸缩管前后移动，所述气缸的行程受控制器控制，所述清洗缸包围底座并与底座共同形成一清洗腔，所述伸缩管为一中空管，所述伸缩管的另一端伸入清洗腔内，所述晶片固定放置在底座上，所述电机与立柱连接并为立柱升降和旋转提供动力，所述电机受控制器控制。

作为本实用新型的进一步改进，所述清洗装置包括控制喷淋药液的一喷淋部件，所述喷淋部件包括一控制阀、若干药液罐、若干药液管，所述药液管的一端经控制阀伸入药液罐内，所述药液管贯穿伸缩管且药液管另一端固定在伸缩管前端。

作为本实用新型的进一步改进，所述清洗装置还包括一支撑板，所述清洗缸、气缸、伸缩管均固定在支撑板上。

作为本实用新型的进一步改进，所述底座位于清洗缸中间，所述清洗缸的顶面高于晶片所处的位置。

作为本实用新型的进一步改进，所述清洗缸底部设置有排液孔。

作为本实用新型的进一步改进，所述清洗缸侧壁设置有排风管。

本实用新型清洗装置能够实现晶片的自动化喷液、清洗、甩干，提高晶片清洗的一致性，也避免出现人工清洗后晶片出现的各种缺陷，提升清洗效率。

附图说明

图1为本实用新型清洗装置的实施例在第一视角下的整体结构示意图。

图2为本实用新型清洗装置的实施例在第二视角下的整体结构示意图。

图3为本实用新型清洗装置的实施例去除支撑板和清洗缸后的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例对技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1、2、3，本实用新型提出一种清洗装置100，用于清洗晶片200，清洗装置100包括一清洗缸110、可升降并可旋转的一立柱120、安装在立柱120上的一底座130、一气缸140、一端固定在气缸140上的一伸缩管150、一控制器（图上未示出）、一电机170，气缸140能够带动伸缩管150前后移动，气缸140的行程受控制器控制，清洗缸110包围底座130并与底座130共同形成一清洗腔111，伸缩管150为一中空管，伸缩管150的另一端伸入清洗腔111内，晶片200固定放置在底座130上，电机170与立柱120连接并为立柱120升降提供动力，电机170受控制器控制。

在本实施例中，清洗装置100包括控制喷淋药液的喷淋部件180，喷淋部件180包括一控制阀181、若干药液罐182、若干药液管183，药液管的一端经控制阀181伸入药液罐182内，药液管183贯穿伸缩管150且药液管183另一端固定在伸缩管150前端。

在本实施例中，清洗装置100还包括一支撑板190，清洗缸110、气缸140、伸缩管150均固定在支撑板190上。