[实用新型]一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS材料结构

说明书

本实用新型一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS材料结构，包括芯片光敏面、GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面，所述GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面通过胶水粘贴在芯片光敏面上，利用GOS(硫氧化钆)材料作为X射线探测器的闪烁晶体，并使GOS(硫氧化钆)材料切割成与芯片光敏面相近的尺寸，使两者贴合在一起，在使用过程中大大降低了产品耦合所需的精度，另一方面也大大的提高了产品耦合效率，此外GOS因整个面都出光，在出光的均匀性上也比其它晶体材料效果要好，因市场对间距0.78mm、0.4mm、0.2mm产品需求不断扩大，将GOS(硫氧化钆)材料应用在此类高分辨率产品上能大大降低产品晶体耦合精度并提升产品良率及生产效率。

技术领域

本实用新型涉及探测器、探测器芯片成光技术领域，尤其涉及一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS材料结构。

背景技术

随着工业社会的进步，市场对X射线探测器成像图片分辨率要求越来越高，现有X射线探测器主要是用碘化铯(Csl)材料充当X射线探测器闪烁晶体来使用，而闪烁晶体是指，在X射线高能粒子的撞击下，能将高能粒子的动能转变为光能而发出闪光的晶体，典型代表材料有碘化铯，钨酸镉、氟化钡等。

本设计人发现，现有的晶体材料需要与X射线探测器的芯片出光面完全耦合，才能达到较好的光电转换效率，这种材料贴合过程比较麻烦，且现有的晶体材料只是出光面的部分区域出光，如耦合精度不够，会导致X射线探测器产品均匀性存在缺陷。

为此，针对上述问题，我们提出一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS 材料结构来解决这一问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS 材料结构，以解决上述背景技术中提出的现有的晶体材料需要与X射线探测器的芯片光敏面完全耦合，才能达到较好的光电转换效率，这种材料贴合过程比较麻烦，且现有的晶体材料只是出光面的部分区域出光，如耦合精度不够，会导致X射线探测器产品均匀性存在缺陷的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种应用于X射线探测器芯片光敏面的GOS材料结构，包括芯片光敏面、GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面，所述GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面通过胶水粘贴在芯片光敏面上。

优选的，所述GOS(硫氧化钆)材料晶体贴合在X射线探测器的芯片光敏面(1)上时，整个面均为出光面。

优选的，所述GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面在与芯片光敏面实施贴合前，需要将GOS(硫氧化钆)材料晶体切割成与芯片光敏面一样的尺寸。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

本实用新型利用GOS(硫氧化钆)材料作为X射线探测器闪烁晶体，并使GOS (硫氧化钆)材料切割成与芯片光敏面相近的尺寸，使两者贴合在一起，在使用过程中大大降低了产品耦合所需的精度，另一方面也大大的提高了产品耦合效率，此外GOS因整个面都出光，在出光的均匀性上也比其它晶体材料效果要好，因市场对间距0.78mm、0.4mm、0.2mm产品需求不断扩大，将GOS(硫氧化钆)材料应用在此类高分辨率产品上能大大降低产品晶体耦合精度并提升产品良率及生产效率。

附图说明

图1为本实用新型材料贴合后出光面示意图；

图2为其它材料贴合后出光面结构示意图。

图中：1、芯片光敏面，2、GOS(硫氧化钆)材料晶体出光面。

具体实施方式