[实用新型]一种智能Mosfet功率装置

说明书

本实用新型公开了一种智能Mosfet功率装置，包括基底、绝缘板、智能驱动及保护线路板和Mosfet芯片阵列，绝缘板设置在基底上，Mosfet芯片阵列设置在绝缘板上，智能驱动及保护线路板设置在基底上，且该智能驱动及保护线路板与Mosfet芯片阵列电连接。达到了减少热损耗，同时简化驱动电路且降低成本的目的。

技术领域

本实用新型涉及电子电路领域，尤其涉及一种智能Mosfet功率装置。

背景技术

目前，在当前的工业用低压大电流输出整流器应用上，用于输出整流、输出换向的器件普遍使用的是肖特基二极管、快速恢复二极管、可控硅等几种功率器件。上述器件皆为压降性器件，电流流过该器件则产生固定的压降，压降大小就决定了该器件的功耗大小。

进口的低压降大功率肖特基二极管压降普遍在0.65V-0.75V之间。若通过1500A电流，则在整流二极管部分会产生的热功率为：

0.75V×1500A＝1125W

该热量的耗失，使在大功率应用上损失大量的电能、高昂的散热费用以及庞大的散热器体积增加整流器的整体体积。

在现有的Mosfet模块中，普遍能够长期带载的电流在300A以下。而且不带有驱动电路，以及内部保护电路。在大电流使用时，需要进行多只并联使用。

因此，现有的技术存在以下缺陷：

均流控制困难，驱动电路复杂，器件保护成本高，散热结构设计困难，占用空间大等问题。导致Mosfet模块在大功率工业应用上举步维艰。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目在于提供一种智能Mosfet功率装置，以实现减少热损耗，同时简化驱动电路且降低成本的优点。

本实用新型的目的采用如下技术方案实现：

一种智能Mosfet功率装置，包括基底、绝缘板、智能驱动及保护线路板和 Mosfet芯片阵列，所述绝缘板设置在基底上，所述Mosfet芯片阵列设置在绝缘板上，所述智能驱动及保护线路板设置在基底上，且该智能驱动及保护线路板与Mosfet芯片阵列电连接。

进一步地，所述基底为全铜基底，所述绝缘板为氧化铝陶瓷板。

进一步地，所述全铜基底作为电流通道以及散热基底；

所述氧化铝陶瓷板：为Mosfet芯片阵列与全铜基底之间提供一层绝缘低热阻的过渡通道，并提供低阻抗的导电通道；

所述智能驱动及保护线路板：为Mosfet装置提供装置内的隔离正反压驱动信号，以及装置内部的温度保护及故障反馈信号。

进一步地，还包括，绝缘填充层和外壳，所述绝缘填充层覆盖在Mosfet芯片阵列上，上述基底、绝缘板、智能驱动及保护线路板和Mosfet芯片阵列均封装在外壳内。

进一步地，所述绝缘填充层采用高分子硅胶材料，提供绝缘、低热阻的运行环境。

进一步地，智能驱动及保护线路板，包括正负压产生电路、隔离驱动电路、栅极驱动保护电路和温度保护监测电路，所述正负压产生电路、隔离驱动电路、栅极驱动保护电路和温度保护监测电路均与Mosfet芯片阵列电连接。

进一步地，所述正负压产生电路，包括电阻R1、电阻R2、电容C1、电容 C2、电容C3、电容C4、电容C7、电容C8、电容C9和二极管D1，所述电容C2串联在电源VCC与地之间，所述电容C3与电容C2并联，所述电容C4与电容C3并联，所述电阻R1与电容C8组成的串联电路与电容C4并联，所述电容C7与电容C8并联，所述电容C9与电容C7并联，所述电阻R2与二极管D1组成的串联电路与电容C4并联，所述电阻R2与二极管D1的阴极串联，所述电容C1与电阻R2并联。