[实用新型]一种智能Mosfet功率装置

权利要求书

1.一种智能Mosfet功率装置，包括基底、绝缘板、智能驱动及保护线路板和Mosfet芯片阵列，其特征在于：所述绝缘板设置在基底上，所述Mosfet芯片阵列设置在绝缘板上，所述智能驱动及保护线路板设置在基底上，且该智能驱动及保护线路板与Mosfet芯片阵列电连接。

2.如权利要求1所述的智能Mosfet功率装置，其特征在于：所述基底为全铜基底，所述绝缘板为氧化铝陶瓷板。

3.如权利要求2所述的智能Mosfet功率装置，其特征在于：所述全铜基底作为电流通道以及散热基底；

所述氧化铝陶瓷板：为Mosfet芯片阵列与全铜基底之间提供一层绝缘低热阻的过渡通道，并提供低阻抗的导电通道；

所述智能驱动及保护线路板：为Mosfet装置提供装置内的隔离正反压驱动信号，以及装置内部的温度保护及故障反馈信号。

4.如权利要求1所述的智能Mosfet功率装置，其特征在于：还包括，绝缘填充层和外壳，所述绝缘填充层覆盖在Mosfet芯片阵列上，上述基底、绝缘板、智能驱动及保护线路板和Mosfet芯片阵列均封装在外壳内。

5.如权利要求4所述的智能Mosfet功率装置，其特征在于：所述绝缘填充层采用高分子硅胶材料，提供绝缘、低热阻的运行环境。

6.如权利要求1-5任一所述的智能Mosfet功率装置，其特征在于：智能驱动及保护线路板，包括正负压产生电路、隔离驱动电路、栅极驱动保护电路和温度保护监测电路，所述正负压产生电路、隔离驱动电路、栅极驱动保护电路和温度保护监测电路均与Mosfet芯片阵列电连接。

7.如权利要求6所述的智能Mosfet功率装置，其特征在于：所述正负压产生电路，包括电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C7、电容C8、电容C9和二极管D1，所述电容C2串联在电源VCC与地之间，所述电容C3与电容C2并联，所述电容C4与电容C3并联，所述电阻R1与电容C8组成的串联电路与电容C4并联，所述电容C7与电容C8并联，所述电容C9与电容C7并联，所述电阻R2与二极管D1组成的串联电路与电容C4并联，所述电阻R2与二极管D1的阴极串联，所述电容C1与电阻R2并联。

8.如权利要求6所述的智能Mosfet功率装置，其特征在于：所述隔离驱动电路，包括，光耦芯片U1、三极管Q1、三极管Q2、二极管D2、二极管D3、电阻R3、电阻R5和电阻R4，所述电阻R5连接在光耦芯片U1的两个输入端之间，所述二极管D3与电阻R5并联，所述电阻R3的一端与二极管D3的阴极连接，所述电阻R3的另一端与二极管D2的阴极连接，所述光耦芯片U1的输出端与三极管Q1的基极之间串联电阻R4，所述三极管Q1的基极与三极管Q2的基极连接，所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q1的集电极与电源的VCC端连接，所述三极管Q2的集电极与地连接。

9.如权利要求6所述的智能Mosfet功率装置，其特征在于：所述栅极驱动保护电路，包括二极管D4、电阻R6、电阻R7和TVS二极管D5，所述电阻R6与电阻R7串联，所述TVS二极管D5与电阻R7并联，所述二极管D4与电阻R6并联。

10.如权利要求6所述的智能Mosfet功率装置，其特征在于：所述温度保护监测电路，包括热敏电阻R11、电阻R10、电容C5、电阻R8、电阻R9、可控精密稳压芯片U3和光耦芯片U2，所述电阻R10和热敏电阻R11串联在电源VCC和地之间，所述电容C5与热敏电阻R11并联，所述可控精密稳压芯片U3的参考极与电阻R10和热敏电阻R11之间的节点连接，所述可控精密稳压芯片U3的阳极与地连接，所述可控精密稳压芯片U3的阴极与电源VCC之间串联电阻R8和电阻R9，所述光耦芯片U2的两个输入端之间连接电阻R9，所述电阻R8与光耦芯片U2的一个输入端连接，所述可控精密稳压芯片U3的阴极与光耦芯片U2的另一个输入端连接，所述光耦芯片U2的输出端与外部电路连接。