[实用新型]一种晶圆卡匣有效
| 申请号: | 201720518381.1 | 申请日: | 2017-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN206921799U | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
| 发明(设计)人: | 王仕伟;李文连;任清江;晋芳铭 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 合肥鼎途知识产权代理事务所(普通合伙)34122 | 代理人: | 王学勇,李兵 |
| 地址: | 241000 安徽省芜湖市三山区芜湖*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶圆卡匣 | ||
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工辅具领域,尤其涉及一种晶圆卡匣。
背景技术
在半导体工业中,半导体芯片制程通常包括前段制程和后段制程,前道制程包括:光刻、化学、薄膜、蒸镀等,而后段制程包括研磨、划裂、测试、分选、目检等。其中前段制程中包含显影、蚀刻、清洗等作业制程;后段制程中也存在清洗作业制程。
目前主要用于装载晶圆的装置为卡匣,放在水平载台后,卡匣成水平状态。晶圆放入后,呈垂直状态。在显影、蚀刻、清洗过程中,需对晶圆的正面进行处理,由于存在晶圆的正面与卡匣接触的情况,导致晶圆的正面处理不彻底,影响产品的成品率。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术的不足,提供一种晶圆卡匣。
本实用新型通过以下技术手段实现解决上述技术问题的:
一种晶圆卡匣,包括:底座和卡匣主体,所述卡匣主体连接在所述底座上,所述卡匣主体由底板、左侧板、右侧板、前侧板和后侧板围合而成,所述底板连接在底座上,所述左侧板和右侧板相对设置,所述左侧板上开设有多个左卡槽,所述右侧板上开设有多个右卡槽,所述左卡槽和右卡槽一一对应,所述左卡槽和右卡槽的轴线与水平面之间具有倾角,所述左卡槽和右卡槽的最大槽宽不小于晶圆厚度。
优选地,所述底板与水平面之间具有倾角,所述左侧板和右侧板均垂直连接在所述底板上,所述左侧板沿其高度方向开设有所述左卡槽,所述右侧板沿其高度方向开设有所述右卡槽。
优选地,所述底板与水平面之间呈α度角,1≤α≤75。
优选地,所述底板平行于水平面设置,所述左侧板和右侧板均垂直连接在所述底板上,所述左侧板上倾斜地开设有左卡槽,所述右侧板上倾斜地开设有右卡槽。
优选地,所述左卡槽和右卡槽的轴线与水平面之间均呈β度角,10≤β≤89。
优选地,所述左卡槽和右卡槽的水平截面均呈“V”型。
本实用新型与现有技术相比较,本实用新型的实施效果如下:
待加工的晶圆被卡装在左卡槽和右卡槽内,且与水平面之间呈一定的倾斜角。由于重力作用,晶圆的背面会与卡槽相接触,而晶圆的正面朝上,并与卡槽之间具有间隙,从而使加工人员能更加方便地对晶圆的正面进行加工,有助于避免显影、蚀刻,清洗等作用不彻底的现象的发生。
附图说明
图1是本实用新型提出的一种晶圆卡匣的俯视结构示意图。
图2是本实用新型提出的一种晶圆卡匣的侧视结构示意图。
图3是本实用新型提出的一种晶圆卡匣的卡槽的结构示意图。
图4是本实用新型提出的一种晶圆卡匣的整体结构示意图。
图5是本实用新型提出的一种晶圆卡匣的另一整体结构示意图。
图6是本实用新型提出的一种晶圆卡匣的又一整体结构示意图。
具体实施方式
下面将结合具体的实施例来说明本实用新型的内容。
实施例一
如图1和图2所示,本实用新型提出的一种晶圆卡匣,包括底座5和卡匣主体。所述卡匣主体连接在所述底座5上,所述卡匣主体由底板1、左侧板2、右侧板3、前侧板4和后侧板6围合而成。所述底板1连接在底座5上,所述左侧板2和右侧板3相对设置。所述左侧板2上开设有多个左卡槽21,所述右侧板3上开设有多个右卡槽31,所述左卡槽21和右卡槽31一一对应。所述左卡槽21和右卡槽31的轴线与水平面之间具有倾角,所述左卡槽21和右卡槽31的最大槽宽不小于晶圆厚度。
如图3所示,所述所述左卡槽21和右卡槽31的水平截面均呈“V”型。
如图4所示,所述底板1与水平面之间具有倾角。所述左侧板2和右侧板3均垂直连接在所述底板1上。所述左侧板2沿其高度方向开设有所述左卡槽21,所述右侧板3沿其高度方向开设有所述右卡槽31。
所述底板1与水平面之间呈α度角,1≤α≤75。
实施例二
如图1和图2所示,本实用新型提出的一种晶圆卡匣,包括底座5和卡匣主体。所述卡匣主体连接在所述底座5上,所述卡匣主体由底板1、左侧板2、右侧板3、前侧板4和后侧板6围合而成。所述底板1连接在底座5上,所述左侧板2和右侧板3相对设置。所述左侧板2上开设有多个左卡槽21,所述右侧板3上开设有多个右卡槽31,所述左卡槽21和右卡槽31一一对应。所述左卡槽21和右卡槽31的轴线与水平面之间具有倾角,所述左卡槽21和右卡槽31的最大槽宽不小于晶圆厚度。
如图3所示,所述所述左卡槽21和右卡槽31的水平截面均呈“V”型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





