[实用新型]一种化合物半导体晶体管功率电子模块

权利要求书

1.一种化合物半导体晶体管功率电子模块，包括继电器（1），常开型化合物半导体晶体管（2），控制集成电路（5），高压输入端（6），接地端（7），其特征是，所述常开型化合物半导体晶体管（2）的阈值电压为负值，所述继电器（1）导通电平（21）为正值，所述控制集成电路（5）能够至少输出两个控制信号，第一控制信号和第二控制信号分别控制所述常开型化合物半导体晶体管（2）的栅极（10）和所述继电器（1）的控制端（11），保证所述常开型化合物半导体晶体管（2）的栅极（10）从零电平（22）变化至晶体管关断电平（25）后，经过继电器导通前的延时（26），继电器（1）的控制信号才变至继电器导通电平（21），在继电器（1）控制信号变化为零电平（22）之后，所述常开型化合物半导体晶体管（2）的控制信号保持在关断电平（25），经过晶体管控制信号输入端电压恢复零电位前的延时（28）后，才变为零电平（22）。

2.根据权利要求1所述的一种化合物半导体晶体管功率电子模块，其特征在于，常开型化合物半导体晶体管（2）采用III-V族化合物半导体。

3.根据权利要求1所述的一种化合物半导体晶体管功率电子模块，其特征在于，常开型化合物半导体晶体管（2）为高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistors,HEMT）。

4.根据权利要求1所述的一种化合物半导体晶体管功率电子模块，其特征在于，高压输入端（6）输入的电压大于50伏并小于1200伏。