[实用新型]图像传感器像素和图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器像素，包括：

第一光敏区，所述第一光敏区存储电荷；

第二光敏区；

干线电路，所述干线电路包括电荷存储节点，其中所述第二光敏区基本上被所述干线电路和所述第一光敏区围绕；以及

晶体管电路，所述晶体管电路被配置成将所述电荷从所述第一光敏区穿过所述第二光敏区转移到所述干线电路中的所述电荷存储节点。

2.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述晶体管电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管被配置成将所述电荷从所述第一光敏区转移到所述第二光敏区，并且所述第二晶体管被配置成将所述电荷从所述第二光敏区转移到所述干线电路中的所述电荷存储节点。

3.根据权利要求2所述的图像传感器像素，其中所述干线电路还包括：

重置晶体管，所述重置晶体管将所述电荷存储节点耦接到具有电源电压电平的电压源；以及

读出电路，所述读出电路从所述电荷存储节点读出对应的像素图像信号。

4.根据权利要求2所述的图像传感器像素，还包括：

具有相对的第一表面和第二表面的半导体衬底，其中在所述第一表面处，所述干线电路和所述第一光敏区基本上围绕所述第二光敏区，并且其中在所述第二表面处，所述第一光敏区基本上围绕所述第二光敏区。

5.根据权利要求4所述的图像传感器像素，还包括：

插置在所述第一光敏区和所述第二光敏区之间且从所述第一表面延伸到所述第二表面的隔离区，其中所述隔离区在所述半导体衬底的所述第一表面和所述第二表面处插置在所述第一光敏区和所述第二光敏区之间，并且还在所述半导体衬底的所述第二表面处插置在所述干线电路和所述第二光敏区之间，其中，在所述第二表面处，所述隔离区具有插置在所述干线电路与所述第二光敏区的第一侧之间的第一部分、插置在所述第一光敏区与所述第二光敏区的第二侧之间的第二部分、插置在所述第一光敏区与所述第二光敏区的第三侧之间的第三部分以及插置在所述第一光敏区与所述第二光敏区的第四侧之间的第四部分，其中所述第二光敏区的所述第一侧与所述第二光敏区的所述第三侧相对，其中所述第二晶体管在所述第二表面处桥接所述隔离区的所述第一部分，并且具有耦接到所述干线电路的第一端子以及耦接到所述第二光敏区的所述第一侧的第二端子，其中所述第一晶体管在所述第二表面处桥接所述隔离区的所述第四部分，并且其中所述第一晶体管具有耦接到所述第二光敏区的所述第四侧的第一端子以及耦接到所述第一光敏区的第二端子。

6.一种图像传感器像素，包括：

外部光敏区；

内部光敏区，所述内部光敏区嵌套在所述外部光敏区内；

隔离结构，所述隔离结构插置在所述内部光敏区和所述外部光敏区之间；以及

晶体管电路，所述晶体管电路在所述隔离结构上方形成且具有耦接到所述内部光敏区的第一端子以及耦接到所述外部光敏区的第二端子。

7.根据权利要求6所述的图像传感器像素，还包括：

电源线路，所述电源线路接收电源电压；以及

抗光晕栅极，所述抗光晕栅极将所述外部光敏区耦接到所述电源线路并被配置成将所述外部光敏区重置为所述电源电压。

8.根据权利要求6所述的图像传感器像素，还包括：

滤色器，所述滤色器在所述外部光敏区上方以及所述内部光敏区中形成；

第一过滤区，所述第一过滤区在所述内部光敏区上方形成；

第二过滤区，所述第二过滤区在所述外部光敏区上方形成，其中所述第一过滤区和所述第二过滤区透射光的不同相应光谱；以及

微透镜，所述微透镜在所述外部光敏区上方形成，其中所述外部光敏区对光的敏感度高于所述内部光敏区。

9.一种图像传感器，包括：

第一图像传感器像素，所述第一图像传感器像素包括：

第一光电二极管，所述第一光电二极管具有第一电荷存储容量；以及

第二光电二极管，所述第二光电二极管具有大于所述第一电荷存储容量的第二电荷存储容量；

第二图像传感器像素，所述第二图像传感器像素与所述第一图像传感器像素相邻并包括干线电路；以及

晶体管，所述晶体管将所述第二图像传感器像素中的所述干线电路耦接到所述第一图像传感器像素中的所述第二光电二极管。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中所述第一光电二极管嵌套在所述第二光电二极管内，并且其中所述第二图像传感器像素包括：

第三光电二极管；以及

第四光电二极管，所述第四光电二极管嵌套在所述第三光电二极管内。