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[发明专利]具有竖直堆叠光电二极管和竖直转移门的图像传感器-CN201880022559.0有效
发明人： J·C·J·汉森斯;M·H·因诺森特;S·韦利奇科;T·戈伊茨 -专利权人：半导体组件工业公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了图像传感器(200)，该图像传感器可以包括使用竖直深沟槽转移门(210)来互连的多个竖直堆叠光电二极管。可以在残余衬底(202)上形成第一n外延层(204A)；可以在所述第一n外延层上形成第一p外延层(206A)；可以在所述第一p外延层上形成第二n外延层(204B)；可以在所述第二n外延层上形成第二p外延层(206B)；等等。该n外延层(204)可以用作不同外延光电二极管的累积区域。不需要单独的滤色器阵列。竖直转移门(210)可以是深沟槽，其填充有掺杂导电材料(212)、衬有栅极电介质衬垫(214)并且由p掺杂区域(216)围绕。以这种方式形成的图像传感器可以用于支持卷帘快门配置或全局快门配置，并且可以是前侧照明或背侧照明。
图像传感器光电二极管深沟槽竖直滤色器阵列栅极电介质背侧照明导电材料快门配置全局快门竖直堆叠支持卷互连衬底填充掺杂配置

[发明专利]具有竖直堆叠光电二极管和竖直转移门的图像传感器-CN201880023860.3有效
发明人： J·C·J·汉森斯;M·H·因诺森特;S·韦利奇科;T·戈伊茨 -专利权人：半导体组件工业公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了图像传感器(200)，该图像传感器可以包括使用竖直深沟槽转移门(210)来互连的多个竖直堆叠光电二极管。可以在残余衬底(202)上形成第一n外延层(204A)；可以在该第一n外延层上形成第一p外延层(206A)；可以在该第一p外延层上形成第二n外延层(204B)；可以在该第二n外延层上形成第二p外延层(206B)；等等。该n外延层(204)可以用作不同外延光电二极管的累积区域。不需要单独的滤色器阵列。竖直转移门(210)可以是深沟槽，其填充有掺杂导电材料(212)、衬有栅极电介质衬垫(214)并且由p掺杂区域(216)围绕。以这种方式形成的图像传感器可以用于支持卷帘快门配置或全局快门配置，并且可以是前侧照明或背侧照明。
图像传感器光电二极管深沟槽竖直滤色器阵列栅极电介质背侧照明导电材料快门配置全局快门竖直堆叠支持卷互连衬底填充掺杂配置

[实用新型]包括成像像素的阵列的图像传感器-CN201821055483.5有效
发明人： T·戈伊茨 -专利权人：半导体组件工业公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本实用新型涉及具有每像素控制的成像传感器。图像传感器可包括像素电路以启用每像素积分时间和读出控制。两个晶体管可串联耦接以用于每像素控制，其中所述晶体管中的一个在逐行的基础上被控制，而所述另一个晶体管在逐列的基础上被控制。所述串联的两个晶体管可直接相互耦接而没有任何中间结构。串联在光电二极管和电源端子之间的两个晶体管启用开始积分时间的每像素控制，串联在光电二极管和电荷存储区之间的两个晶体管启用结束积分时间的每像素控制，并且串联在电荷存储区和浮动扩散区之间的两个晶体管启用读出的每像素控制。
像素控制晶体管晶体管启用串联电荷存储区光电二极管图像传感器本实用新型成像传感器浮动扩散区成像像素串联耦接电源端子读出控制像素电路中间结构像素逐行耦接读出

[实用新型]全局快门成像像素和包括成像像素阵列的图像传感器-CN201721061949.8有效
发明人： T·戈伊茨;T·库尔斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本实用新型涉及全局快门成像像素和包括成像像素阵列的图像传感器。本实用新型提供了一种全局快门成像像素，所述全局快门成像像素可具有单个源极跟随器晶体管。所述源极跟随器晶体管可耦接到浮动扩散区和电荷存储区。为了在不于每个像素中包括第二源极跟随器晶体管的情况下从所述电荷存储区读出样本，可将所述样本转移到相邻像素的浮动扩散区。另选地，晶体管可被配置成将电荷从所述电荷存储区转移到所述相同像素的所述浮动扩散区，从而重复使用单个源极跟随器晶体管。这些类型的像素可用于相关双采样，其中重置电荷电平和积聚电荷电平两者都被采样。这些像素还可在全局快门模式下操作，在所述全局快门模式下，图像由每个像素同时捕获。
全局快门成像像素包括阵列图像传感器

[实用新型]图像传感器像素和图像传感器-CN201720438274.8有效
发明人： T·戈伊茨 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型涉及图像传感器像素和图像传感器。所述图像传感器像素包括第一光敏区，所述第一光敏区存储电荷；第二光敏区；干线电路，所述干线电路包括电荷存储节点，其中所述第二光敏区基本上被所述干线电路和所述第一光敏区围绕；以及晶体管电路，所述晶体管电路被配置成将所述电荷从所述第一光敏区穿过所述第二光敏区转移到所述干线电路中的所述电荷存储节点。本实用新型解决的一个技术问题是为成像设备改善图像像素。本实用新型实现的一个技术效果是提供改善的图像传感器像素和改善的图像传感器。
图像传感器像素