[实用新型]一种LED封装结构

说明书

技术领域

本实用新型属于LED灯结构技术领域，尤其涉及一种LED封装结构。

背景技术

目前，LED支架底部的功能区基本上为镀银层，由于硫元素、卤素、氧元素等有害元素很容易透过封装胶体与功能区的镀银层发生反应，导致镀银层反射率下降，导致LED器件出现光衰的现象。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种LED封装结构，旨在解决现有的LED器件由于镀银层被破坏而导致光衰的问题。

本实用新型是这样解决的：一种LED封装结构，包括支架组件和电连接在所述支架组件上的LED芯片，所述支架组件包括支撑并电连接所述LED芯片的支撑底座和连接在所述支撑底座上的反射杯，所述LED芯片位于所述反射杯的腔体内，所述支撑底座上且位于所述反射杯围合的区域内设有便于反光的镀银层，所述镀银层外还经沉淀工艺沉淀有用于保护所述镀银层的粉体层，所述粉体层覆盖所述镀银层。

进一步地，所述粉体层为透明或白色。

进一步地，所述粉体层由绝缘材料的粉状结构组成。

进一步地，所述粉状结构的粒径为10纳米-300微米。

进一步地，所述粉体层的厚度为1微米-500微米。

进一步地，所述反射杯的腔体内还连接有封装胶体。

进一步地，所述粉体层位于所述封装胶体和所述镀银层之间。

进一步地，所述支撑底座的上表面上设有便于与所述LED芯片电连接的固晶区，所述LED芯片连接在所述固晶区和所述粉体层之间。

进一步地，所述支撑底座上设有开槽，所述LED芯片的正极和负极分别位于所述开槽的两侧，且所述正极和所述负极通过键合线电连接。

进一步地，所述支撑底座上设有开槽，所述开槽位于所述LED芯片的下方，所述LED芯片的正极和负极分别连接在所述开槽的两侧。

本实用新型提供的LED封装结构相对于现有的技术具有的技术效果为：通过在反射杯的镀银层上沉淀覆盖粉体层，进而可以有效阻止硫元素、卤素、氧元素等元素渗入到反射杯腔体内而与其底部的镀银层发生反应，从而可以避免镀银层被破坏，进而可以避免LED器件出现光衰的现象。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的LED封装结构的结构示意图，其中支撑底座上的开槽不位于该LED芯片正下方。

图2是本实用新型实施例提供的LED封装结构的结构示意图，其中支撑底座上的开槽位于该LED芯片正下方。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。