[实用新型]喷气装置以及包含该喷气装置的生产机台

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种喷气装置以及包含该喷气装置的生产机台。

背景技术

在半导体的制造流程中，涉及两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。其中，干法刻蚀是把晶圆暴露于刻蚀气体所产生的等离子体中，等离子体与晶圆发生物理和/或化学反应，从而选择性地从晶圆表面除去不需要的材料，且由于干法刻蚀可以使电路图变得更加精细，因此，得到了广泛的应用。

目前一种包含喷气管道的喷气装置应用在干法刻蚀中，该喷气管道使用时向反应腔内喷射刻蚀气体，刻蚀气体进而电离生成等离子体，而等离子体在电场的作用下其正电荷进一步被吸附到被刻蚀晶圆表面后与被刻蚀晶圆表面产生物理和/或化学反应，且反应生成的挥发性物质被真空设备抽离反应腔。

然而，上述喷气管道喷射刻蚀气体时，会造成反应腔中等离子体分布不均匀问题，最终影响了刻蚀的均匀性，降低了硅片刻蚀的质量。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种喷气装置以及生产机台，以解决一种因气体喷射方向不合理而导致生产机台尤其是刻蚀机台，加工质量差的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种喷气装置，包括内部具有空腔的喷气管道，所述喷气管道的外壁上开设有与所述空腔贯通的喷气孔，所述喷气孔的中心轴线与所述喷气管道的横截面的夹角大于或等于0°且小于90°，且所述喷气孔的中心轴线与所述喷气管道的中心轴线不相交。

可选的，所述喷气孔的中心轴线与所述喷气管道的横截面的夹角大于0°；所述喷气管道还包括至少另一空腔，所述至少另一空腔周向围绕所述空腔设置；所述喷气管道具有相对的第一端和第二端，所述至少另一空腔至少贯通所述第一端，所述空腔至多贯通所述第二端，且所述喷气孔的出气口朝向所述第一端；所述喷气管道的外壁上另开设有与所述空腔贯通的第一进气孔；所述喷气管道的外壁上还开设有与所述至少另一空腔贯通的第二进气孔。

可选的，所述喷气孔为多个，多个所述喷气孔围绕所述空腔的周向布置，和/或多个所述喷气孔沿所述喷气管道的中心轴线方向布置。

可选的，所述空腔与所述喷气管道的一端贯通，所述喷气孔的出气口朝向所述喷气管道未被贯通的一端；或者，所述空腔与所述喷气管道的两端均不贯通，所述喷气管道的外壁上另开设有与所述空腔贯通的进气孔；或者，所述空腔与所述喷气管道的一端贯通，所述喷气管道的外壁上另开设有与所述空腔贯通的进气孔，所述喷气孔的出气口朝向所述喷气管道被贯通的一端；或者，所述空腔与所述喷气管道的两端贯通，所述喷气孔的出气口朝向所述喷气管道的其中一端。

可选的，所述喷气孔的中心轴线偏离所述喷气管道径向的角度为60°～70°。

可选的，所述喷气管道的外壁上还开设有与所述空腔贯通的另一喷气孔，所述另一喷气孔的中心轴线与所述喷气管道的横截面的夹角大于或等于0°且小于90°，且所述另一喷气孔的中心轴线与所述喷气管道的中心轴线相交。

可选的，所述另一喷气孔为多个，多个所述另一喷气孔围绕所述空腔的周向布置，和/或多个所述另一喷气孔沿所述喷气管道的中心轴线方向布置。

可选的，所述喷气孔的中心轴线与所述喷气管道的横截面的夹角大于0°，且所述另一喷气孔的中心轴线与所述喷气管道的横截面的夹角等于0°。

此外，本实用新型另提供了一种包括上述喷气装置的生产机台，所述生产机台还包括一容纳空间，所述喷气孔的出气口向所述容纳空间喷气。

可选的，所述生产机台为刻蚀机台。

综上所述，采用本实用新型提供的喷气装置，由于喷气管道上喷气孔的开设方向与喷气管道的中心轴线不相交，使得与喷气孔贯通的空腔内气体自喷气孔喷出后，不但会形成沿喷气管道径向的径向气流，还会形成沿喷气管道周向的周向气流。气流的周向运动尤其可以起到搅拌被该喷气管道喷气的刻蚀机台之容纳空间内等离子体的作用，令等离子体在容纳空间内分布均匀，确保了硅片刻蚀的质量。气流的周向运动还特别可以避免等离子体在喷气管道和电场周边聚集，也就是将刻蚀机台上喷气管道和电场周边聚集的等离子体吹散，由此避免等离子体对喷气管道和电场附近的相关部件的刻蚀效应，从而延长这些设备的使用寿命，降低生产成本。

特别地，在干法刻蚀制程中，相较于刻蚀气体自喷气孔喷出后仅形成单股径向气流，本实用新型的喷气装置通过另形成一股周向气流，减弱了径向气流对等离子体均匀性分布的破坏，从而有效确保了硅片干法刻蚀的质量。

附图说明

图1是一种用于干法刻蚀的喷气装置的立体示意图；