[实用新型]版图布局优化的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，其包括:

一个信号单元组，其包括多个相邻的信号单元，所述信号单元包括封装垫、低压区域及接收单元、PMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元的前级驱动、PMOS驱动单元、NMOS驱动单元和用作静电保护的P型二极管及N型二极管，

一个地单元组，其排布于所述信号单元组的第一侧；

一个电源单元组，其排布于所述信号单元组的与第一侧相对的第二侧；

一个电源传递单元组，其排布于所述信号单元组的与第一侧和第二侧相邻的第三侧，其通过第一主电源线与电源单元组相连，通过第二主电源线与P型二极管以及PMOS驱动单元的次电源线相连；

一个地传递单元组，其排布于所述信号单元组的与第一侧和第二侧相邻且与第三侧相对的第四侧，其通过第一主地线与地单元组相连，通过第二主地线与N型二极管以及NMOS驱动单元的次地线相连。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，

在P型二极管、PMOS驱动单元的上方形成有次电源线，

PMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元的前级驱动和低压区域及接收单元的上方形成有次地线和次电源线，

在NMOS驱动单元和N型二极管的上方形成有次地线，

其中P型二极管、PMOS驱动单元的上方形成的次电源线比PMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元的前级驱动和低压区域及接收单元的上方形成的次电源线的数量更多，

NMOS驱动单元和N型二极管的上方形成的次地线较PMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元的前级驱动和低压区域及接收单元的上方形成的次地线的数量更多。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，

P型二极管、PMOS驱动单元、PMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元的前级驱动和低压区域及接收单元的上方的次电源线也与所述电源单元相连；

NMOS驱动单元、N型二极管、PMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元的前级驱动和低压区域及接收单元的上方形成的次地线也与所述地单元相连。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，电源单元的电流经过第一主电源线、电源传递单元组、第二主电源线、次电源线流至P型二极管以及PMOS驱动单元，

电流经由NMOS驱动单元的次地线、N型二极管的次地线、第二主地线、地传递单元组、第一主地线流至地单元。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，

所述地单元组包括一个或多个相邻排列的地单元，每个地单元包括位于上层的一个或多个封装垫；

所述电源单元组包括一个或多个相邻排列的电源单元，每个电源单元包括位于上层的一个或多个封装垫，

所述电源传递单元组包括一个或多个排布成一排的电源传递单元；

一个地传递单元组包括一个或多个排布成一排的地传递单元。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，主电源线、主地线、次电源线、次地线、封装垫是由晶片上部的金属层形成。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，

所述信号单元的封装垫在晶片上的投影区域与用作静电保护的P型二极管、N型二极管、PMOS驱动单元和NMOS驱动单元在晶片上的投影区域分开。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其特征在于，

所述信号单元从内到外依次排布有用作静电保护的P型二极管、PMOS驱动单元、PMOS驱动单元的前级驱动、低压区域及接收单元、NMOS驱动单元的前级驱动、NMOS驱动单元和用作静电保护的N型二极管。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其为双倍率同步动态随机存储器的信号接口。