[实用新型]一种管式镀膜水平石墨舟有效
申请号: | 201720163531.1 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN206505899U | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 何达能;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司44104 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 528137 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀膜 水平 石墨 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种石墨舟,尤其涉及一种管式镀膜水平石墨舟。
背景技术
太阳能电池的制造需要经过制绒、扩散、刻蚀、镀膜、丝网印刷和烧结这六大工序。其中,镀膜工序是采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片正面镀氮化硅膜,以减少太阳光反射以及对硅片表面起钝化作用。硅片进行其表面镀膜工序时,需要将未镀膜的硅片插入PECVD真空镀膜设备的载片器上,目前,载片器通常采用石墨舟,一般是操作人员将花篮中的硅片插入专门的石墨舟或者通过自动上下料机将硅片插入专门的石墨舟,具体操作过程是:将硅片插入石墨舟并通过固定卡点定位于其上,然后,将载有硅片的石墨舟放置在PECVD真空镀膜设备中,采用PECVD工艺对硅片进行镀膜。
现有的石墨舟一般采用3个固定卡点卡住硅片的三条边,将硅片固定住。在人工插片或者机器插片时,硅片容易与石墨舟片发生摩擦,以及与卡点发生碰撞,导致硅片划伤、崩边、缺口,影响电池产品品质,而且,卡点的遮挡还会造成硅片对应位置镀膜不均,形成色差,从而影响电池的光电转换效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可提高电池外观良品率、提高光电转换效率的管式镀膜水平石墨舟。
本实用新型的目的通过以下的技术措施来实现:一种管式镀膜水平石墨舟,其特征在于:它主要由绝缘棒和在竖向上排列的数层单元舟片组成,所述单元舟片为水平设置的片状体,相邻的单元舟片之间具有间隙,所述绝缘棒于各单元舟片的周缘贯穿而将全部的单元舟片连接固定在一起,在每个单元舟片的上表面上设有若干个与硅片相适应的凹槽,在所述凹槽的槽底面上设有用于抽真空的细孔,所述细孔贯通至单元舟片的下表面上,所述硅片水平放置在凹槽中。
本实用新型不同于传统管式镀膜石墨舟的垂直卡片模式,硅片水平放置在凹槽内,依靠重力与石墨舟紧密接触,不需要石墨舟卡点,因此能够避免传统卡点石墨舟造成的卡点处色差、崩边、缺口、硅片的划伤等外观不良,以及避免了绕镀和卡点处的膜厚不够,提升了太阳能电池的光电转换效率。
作为本实用新型的一种改进,在每个单元舟片的下表面上设有若干个与硅片相适应的凹槽,处于每个单元舟片上下表面上的凹槽相对应,所述细孔贯通相对应的凹槽,所述硅片水平放置在槽口向上的凹槽中。单元舟片的两面均设有凹槽,在安装时不会将单元舟片装反,提高了安装效率。
作为本实用新型的一种实施方式,所述凹槽的槽壁上具有环形台阶,所述硅片水平放置在环形台阶上。
作为本实用新型的一种实施方式,所述单元舟片的数量为1~50,相邻单元舟片之间的间距为5~50mm。
作为本实用新型的一种实施方式,所述单元舟片上的凹槽呈阵列均匀分布,阵列的形状是正方形、长方形、圆形或六边形;每个单元舟片上的凹槽数量为5~100,相邻凹槽之间的距离为5~300mm。
作为本实用新型的一种实施方式,所述凹槽的深度为0.5~10mm。
作为本实用新型的一种实施方式,所述石墨舟片上的凹槽的边长L为125~200mm。
作为本实用新型的一种实施方式,所述绝缘棒采用陶瓷棒,也可以采用其它绝缘材料制成;在最底层的单元舟片上设有支撑柱。
作为本实用新型的一种实施方式,所述陶瓷棒竖向贯穿全部的单元舟片并在最底层和最顶层的单元舟片上通过固定部件固定。
与现有技术相比,本实用新型具有以下显著的优点:
本实用新型不同于传统管式镀膜石墨舟的垂直卡片模式,硅片水平放置在凹槽内,依靠重力与石墨舟紧密接触,不需要石墨舟卡点,因此能够避免传统卡点石墨舟造成的卡点处色差、崩边、缺口、硅片的划伤等外观不良,以及避免了绕镀和卡点处的膜厚不够,提升了太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
以下结合附图对本实用新型作进一步的详细说明。
图1是本实用新型实施例1的整体结构示意图;
图2是本实用新型实施例1的俯视示意图;
图3是沿图2中A-A线剖面图;
图4是本实用新型实施例2的俯视示意图;
图5是沿图4中B-B线剖面图。
具体实施方式
实施例1
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造