[实用新型]一种管式镀膜水平石墨舟有效
申请号: | 201720163531.1 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN206505899U | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 何达能;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司44104 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 528137 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀膜 水平 石墨 | ||
1.一种管式镀膜水平石墨舟,其特征在于:它主要由绝缘棒和在竖向上排列的数层单元舟片组成,所述单元舟片为水平设置的片状体,相邻的单元舟片之间具有间隙,所述绝缘棒于各单元舟片的周缘贯穿而将全部的单元舟片连接固定在一起,在每个单元舟片的上表面上设有若干个与硅片相适应的凹槽,在所述凹槽的槽底面上设有用于抽真空的细孔,所述细孔贯通至单元舟片的下表面上,所述硅片水平放置在所述凹槽内。
2.根据权利要求1所述的管式镀膜水平石墨舟,其特征在于:在每个单元舟片的下表面上设有若干个与硅片相适应的凹槽,处于每个单元舟片上下表面上的凹槽相对应,所述细孔贯通相对应的凹槽,所述硅片水平放置在槽口向上的凹槽中。
3.根据权利要求1或2所述的管式镀膜水平石墨舟,其特征在于:所述凹槽的槽壁上具有环形台阶,所述硅片水平放置在环形台阶上。
4.根据权利要求3所述的管式镀膜水平石墨舟,其特征在于:所述单元舟片的数量为1~50,相邻单元舟片之间的间距为5~50mm。
5.根据权利要求4所述的管式镀膜水平石墨舟,其特征在于:所述单元舟片上的凹槽呈阵列均匀分布,阵列的形状是正方形、长方形、圆形或六边形。
6.根据权利要求5所述的管式镀膜水平石墨舟,其特征在于:每个单元舟片上的凹槽数量为5~100,相邻凹槽之间的距离为5~300mm。
7.根据权利要求6所述的管式镀膜水平石墨舟,其特征在于:所述凹槽的深度为0.5~10mm。
8.根据权利要求7所述的管式镀膜水平石墨舟,其特征在于:所述石墨舟片上的凹槽的边长L为125~200mm。
9.根据权利要求8所述的管式镀膜水平石墨舟,其特征在于:所述绝缘棒采用陶瓷棒;在最底层的单元舟片上设有支撑柱。
10.根据权利要求9所述的管式镀膜水平石墨舟,其特征在于:所述陶瓷棒竖向贯穿全部的单元舟片并在最底层和最顶层的单元舟片上通过固定部件固定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造