[实用新型]一种MOCVD真空烤盘炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，特别涉及一种MOCVD真空烤盘炉。

背景技术

MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)即金属有机化合物化学气相沉积，是制备化合物半导体薄膜的一项关键技术。MOCVD设备是研发世界先进水平的S、C、X、K和Q等波段的氮化镓大功率电子器件和高压大功率固体开关器件、高端激光器件及效率可达40％以上的太阳电池等光电子器件不可或缺的。它利用较易挥发的有机物作为较难挥发的金属原子的源反应物，通过载气携带到反应器内，在适当的气压、温度等条件发生化学反应，在加热的衬底基片上外延生长出薄膜；而现有的真空烤盘炉加热不够均匀，另外真空烤盘炉内部的密封性也比较差，另外整体的安全性也比较差。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种MOCVD真空烤盘炉，解决了现有的真空烤盘炉加热不够均匀，另外真空烤盘炉内部的密封性也比较差，另外整体的安全性也比较差的问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种技术方案：一种MOCVD真空烤盘炉，包括烤盘炉壳体、真空系统、冷却系统、气源系统和上盖，所述真空系统、冷却系统和气源系统分别与烤盘炉壳体内部相连接，所述上盖固定连接在烤盘炉壳体顶部，其创新点在于：还包括辅助加热器一、侧盖体、辅助加热器二、基盘、加热装置、隔热座、隔热层、旋转座、外锥面、内锥面、连接轴、防护层和电机；所述辅助加热器一位于烤盘炉壳体内部顶部，所述辅助加热器一固定连接在上盖底面上；所述辅助加热器二固定连接在烤盘炉壳体内部侧壁上；所述侧盖体设在烤盘炉壳体侧面；所述隔热层固定连接在烤盘炉壳体下侧内部顶面上，所述隔热层底面中央固定连接有电机；所述电机上侧输出轴与旋转座下侧中央固定连接；所述旋转座活动连接在烤盘炉壳体内部下侧中央，所述旋转座顶部固定连接有连接轴，所述旋转座下侧外部设有外锥面；所述外锥面与内锥面相连接；所述内锥面设在烤盘炉壳体下侧内部顶面中央；所述基盘位于烤盘炉壳体内部下侧，所述基盘底部中央固定连接在连接轴顶部；所述加热装置位于基盘下侧，所述加热装置底部固定连接在隔热座上面；所述隔热座固定连接在烤盘炉壳体内部底面上；所述防护层设在烤盘炉壳体外部表面上。

作为优选，所述加热装置具体包括电热丝一、电极柱一、电热丝二、电极柱二和壳体；所述壳体内部呈扇形设有电热丝一和电热丝二；所述电热丝一两端分别固定连接有电极柱一；所述电热丝二两端分别固定连接有电极柱二；所述电极柱一和电极柱二均固定连接在壳体侧面。

作为优选，所述电机为直流减速电机。

作为优选，所述防护层由隔热防火材料制成。

本实用新型的有益效果：本实用新型具有结构合理简单、生产成本低、安装方便，功能齐全，本实用新型中设置的辅助加热器一和辅助加热器二，能够有效的对基盘上面的空间进行加热，另外电热丝一和电热丝二呈扇形排列，使得整体的加热更加均匀，另外设置的外锥面和内锥面，能够有效的增加旋转座与烤盘炉壳体的接触面积，从而使空气很难进入到烤盘炉壳体内部，保证了真空烤盘炉内部的密封性，另外设置的防护层，能够有效的保证本烤盘炉的安全性，以及操作人员的安全性。

附图说明

为了易于说明，本实用新型由下述的具体实施及附图作以详细描述。

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为加热装置的结构示意图。

1-烤盘炉壳体；2-真空系统；3-冷却系统；4-气源系统；5-上盖；6-辅助加热器一；7-侧盖体；8-辅助加热器二；9-基盘；10-加热装置；11-隔热座；12-隔热层；13-旋转座；14-外锥面；15-内锥面；16-连接轴；17-防护层；18-电机；101-电热丝一；102-电极柱一；103-电热丝二；104-电极柱二；105-壳体。

具体实施方式