[发明专利]一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺

权利要求书

1.一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺，其特征在于：先将引线框架进行常规的脱脂、活化、中和、镀铜、预镀银、镀银和退银工序处理，然后将退银后的引线框架依次进行微蚀、再次活化、铜面处理、阳极清洗和银面处理，最后进行常规的银保护处理，其中：

所述微蚀过程为通过腐蚀去除引线框架表面的镀铜层，使引线框架表面微观粗化，腐蚀深度为0.2-0.4μm；

铜面处理过程为通过腐蚀及氧化引线框架，在引线框架表面形成一层棕色氧化层；具体操作为：在30-40℃下，在引线框架加工中依次加入以下五种试剂进行反应：苯并三唑的硫酸溶液，浓度230-270 mL/L，其中苯并三唑的浓度为35g/L，硫酸浓度为15 mL /L；硫酸氢钠与氟化钠的氢氟酸溶液，浓度190-230g/L，其中硫酸氢钠浓度为220 g/L，氟化钠的浓度为50 g/L，氢氟酸浓度为15 mL/L；硫酸和硝酸的混合溶液，浓度180-220 mL/L，其中硫酸浓度为125 mL/L，硝酸浓度为40 mL/L；苯并三唑的硫酸溶液，浓度15-25 g/L，其中苯并三唑浓度为25 g/L，硫酸浓度为150 mL/L；过氧化氢水溶液浓度30-40 mL/L；

阳极清洗过程为通过电解清洗掉引线框架表面的铜粉；

银面处理过程为通过阴极电解使引线框架的银表面氧化，在银面形成一层1.5-2.5nm的氧化层，具体操作为：在110-150A的电流和40-50℃的温度下，使用浓度为450-550g/L偏硅酸钠、氢氧化钠和碳酸钠的混合水溶液对引线框架进行阴极电解，其中偏硅酸钠的浓度为175g/L，氢氧化钠的浓度为45g/L，碳酸钠的浓度为140 g/L。

2.根据权利要求1 所述的一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺，其特征在于：所述微蚀过程使用的试剂为氟化钠、过硫酸钠和硫酸氢钠的混合水溶液，浓度40-60 g/L，温度20-30℃。

3.根据权利要求1 所述的一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺，其特征在于：所述再次活化过程使用的试剂为苯并三唑的乙二醇单异丙基醚溶液，浓度15-25g/L，温度35-45℃。

4.根据权利要求1 所述的一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺，其特征在于：所述阳极清洗过程为在20-30℃下，保持电流为1-2A，在引线框架加工中加入碳酸钠与硝酸钠的氢氧化钠水溶液，浓度为75-95 g/L，其中碳酸钠的浓度为65 g/L，硝酸钠的浓度为35 g/L，氢氧化钠的浓度为50 g/L，进行电解清洗。