[发明专利]一种高反压贴片二极管的制造方法在审
申请号: | 201711459842.3 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108198760A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 朱伟英;高振禹;华建南;莫行晨 | 申请(专利权)人: | 常州银河电器有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/07 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊片 反压 贴片二极管 芯片 制造 二极管 晶粒 尺寸结构 多层交替 焊接设备 框架装配 芯片焊接 引线焊接 电性 柱形 叠加 封装 连通 模具 装配 保留 | ||
本发明公开了一种高反压贴片二极管的制造方法,包括:步骤一,在框架装配时,首先放置焊片,然后在焊片上放置芯片,按此顺序将焊片和芯片多层交替叠加装配到模具中;步骤二,当最后一层焊片放置结束后,在两端的焊片上以柱形引线焊接连接,通过焊接设备将引线、焊片和芯片焊接连通。本发明提供一种高反压贴片二极管的制造方法,它在保留小型尺寸结构的同时,实现多晶粒的封装,并且拥有高反压二极管的电性。
技术领域
本发明涉及一种高反压贴片二极管的制造方法,属于二极管生产制造领域。
背景技术
目前,随着电子行业自动化生产的普及化,以及电路板高集成度的进化,相应电子元器件也向着微型化、片式化发展,然而受限于传统的贴片式二极管的制造工艺,难以在保留其小型尺寸结构的同时,实现多晶粒的封装,而单晶粒目前最大只能达到2000V反向电压,同时要达到高反压的电性参数,其外形尺寸在面临测试环境及使用条件也存在大量问题,因此在市场上并没有此类高电压贴片二极管可替代传统轴向二极管。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,克服现有技术的缺陷,提供一种高反压贴片二极管的制造方法,它在保留小型尺寸结构的同时,实现多晶粒的封装,并且拥有高反压二极管的电性。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是:
一种高反压贴片二极管的制造方法,包括:
步骤一,在框架装配时,首先放置焊片,然后在焊片上放置芯片,按此顺序将焊片和芯片多层交替叠加装配到模具中;
步骤二,当最后一层焊片放置结束后,在模具两端的焊片上以柱形引线焊接连接,通过焊接设备将引线、焊片和芯片焊接连通。
进一步,所述高反压贴片二极管的制造方法还包括步骤三,使用封装设备对产品进行环氧树脂塑化封装。
进一步,所述高反压贴片二极管的制造方法还包括步骤四,使用压扁设备将产品塑封体两侧的柱形引线压扁。
进一步,所述高反压贴片二极管的制造方法还包括步骤五,使用成型设备将产品塑封体两侧的柱形引线进行弯折、切断、成型。
进一步,所述高反压贴片二极管的制造方法还包括步骤六,通过引脚镀锡、测试筛选、印字和包装,完成产品生产。
进一步,如果为OJ类芯片,则在步骤二和步骤三之间增加酸洗、上胶、固化工艺操作。
进一步,如果为GPP类芯片,则在步骤二之后直接进入步骤三。
采用了上述技术方案,本发明在框架装配时使用焊片和芯片多层交替叠加装配,两端的焊片两侧以柱形引线焊接连接,塑封外形采用长方体外形封装,后续将塑封体边缘的柱形引线打扁并弯折、切断、成型,使其成为贴片式二极管的封装外形尺寸,同时拥有高反压二极管的电性,反向电压满足3000V~8000V,生产简单,易于批量产业化。
附图说明
图1为本发明一种高反压贴片二极管的制造方法的模具装配图;
图2为图1的Ⅰ部放大图;
图3为本发明的塑封体的主视图;
图4为图3的俯视图;
图5为本发明的塑封体的结构示意图;
图6为本发明的柱形引线压扁后的主视图;
图7为图6的仰视图;
图8为本发明的塑封体成型后的主视图;
图9为图8的仰视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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