[发明专利]一种低辐射镀膜玻璃

权利要求书

1.一种低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基材和成型在所述玻璃基材上的镀膜层，其特征在于，所述镀膜层包括依次沉积在所述玻璃基材上的一第一电介质层、一第一辐射阻隔层、一第一银层、一第二辐射阻隔层、一第二电介质层、一第二银层、一第三辐射阻隔层和一第四电介质层。

2.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一银层及所述第二银层具体为AgTi膜层。

3.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基材为透光率大于80～84％的浮法玻璃。

4.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该第一电介质层和所述第四电介质层均为Si₃N₄。

5.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一辐射阻隔层、第二辐射阻隔层及第三辐射阻隔层的材质均为选自NiCr、NiCrO_x、NiCrN_x或Nb₂O₅中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第二电介质层包括设置在所述第二银层靠近所述玻璃基材一侧的缓冲层，以及沉积在所述缓冲层上位于所述第二银层另一侧的第三电介质层。

7.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第四电介质层进一步包括设置在最外层的第五电介质层，以及沉积在所述第五电介质层与所述第三辐射阻隔层之间的第六电介质层。

8.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，结构依次为：玻璃基材-Si₃N₄-NiCr-AgTi-NiCr-ZnSnO₃-ZnO-AgTi-NiCr-ZnSnO₃-Si₃N₄。

9.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一电介质层的膜层厚度为25～36nm；所述第一辐射阻隔层的厚度为0.6～3.2nm；所述第一银层的厚度10～12nm；所述第二辐射阻隔层的厚度为3～3.5nm；所述第二电介质层的缓冲层的厚度为5～10nm；所述第二电介质层的第三电介质层的厚度为66～80nm；所述第二银层的厚度为16～18nm；该第四电介质层的第五电介质层的厚度为16～20nm；该第四电介质层的第六电介质层的厚度为12～15nm。