[发明专利]一种黑色矩阵的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种黑色矩阵的制作方法。

背景技术

通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)阵列基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

传统的液晶显示面板中，通常会在彩膜基板一侧制作一层黑色矩阵(BM，BlackMatrix)，用于分割相邻色阻，遮挡色彩的空隙，防止漏光或者混色；而将黑色矩阵制备在TFT阵列基板的技术叫做BOA(BMOnArray，黑色矩阵贴附于阵列基板)，BOA可以解决上下基板错位导致遮光区域不匹配的问题，这种对曲面显示器尤其有用。COA(Color filter OnArray)技术是一种将原本制备于彩膜基板上的RGB色阻制备在TFT阵列基板上的技术，COA技术可以改善金属线上的信号延迟，提供面板开口率，改善面板显示品质。

图1为在彩膜基板1上制作黑色矩阵后的示意图，如图1所示，黑色矩阵13为彩膜基板1的第一道制程，因此在黑色矩阵的制备过程中无需参考前制程的对位标记(mark)。而在BOA架构的液晶显示面板中，由于黑色矩阵制作于TFT阵列基板一侧，在制备黑色矩阵之前，已经进行了其它图案的制程，因此在制备黑色矩阵时需要参考前制程的对位标记，但由于黑色矩阵具有较高的光密度值(OD,optical density)，因此在涂布后对光罩对位标记的识别造成干扰，可能导致曝光机无法对位。如果要使用较低光密度值的黑色阵材料，可以增加涂布后对位标记的识别能力，但是黑色矩阵的遮光效果会受到严重影响。

图2为在TFT阵列基板21上涂布黑色矩阵薄膜23后的示意图，从图2中可以看出，在TFT阵列基板21上涂布黑色矩阵薄膜23后，所述黑色矩阵薄膜23将对位标记22完全遮挡。因此目前亟需一种能够解决上述问题的黑色矩阵的制作方法。

发明内容

本发明提供了一种黑色矩阵的制作方法，以解决在黑色矩阵制备过程中基板的对位标记难以识别的问题。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供了一种一种黑色矩阵的制作方法，包括如下步骤：

步骤S10、提供一基板，所述基板上设置有对位标记；

步骤S20、在所述基板上涂覆一黑色矩阵薄膜，所述黑色矩阵薄膜由黑色光阻制备；

步骤S30、将涂覆有所述黑色矩阵薄膜的所述基板放入曝光机中，并对所述基板进行预对位，然后将所述曝光机的标记装置移动到所述对位标记的上方，对所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行标记处理，得到光阻标记；

步骤S40、根据所述光阻标记识别所述对位标记的位置，进行精确对位后，图案化所述黑色矩阵薄膜，形成黑色矩阵。

根据本发明一优选实施例，所述标记装置为具有预定照度的镭射头。

根据本发明一优选实施例，所述步骤30包括：将所述镭射头移动到所述对位标记的上方，对所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行照射，将所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行厚度薄化或去除，获得光阻标记。

根据本发明一优选实施例，所述基板为矩形结构，所述对位标记分为四组对位标记，分别设置于所述矩形的四个角。

根据本发明一优选实施例，每一组对位标记包括至少一个对位标记主体，所述对位标记主体的边长处于60微米至140微米的范围内。

根据本发明一优选实施例，所述高照度镭射头在所述黑色光阻上的投射光斑直径为150微米至200微米。

根据本发明一优选实施例，所述高照度镭射头的照度为10⁵至10⁶兆瓦每平方厘米。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S30中，对所述基板进行预对位为：将所述基板与所述曝光机的光掩模版进行预对位，对位精度为±30微米。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S30中，在对所述基板进行预对位前，还包括对所述基板的放置环境进行吸真空处理。