[发明专利]一种电容式触摸屏的干膜式制备方法

说明书

本发明涉及了一种电容式触摸屏的干膜式制备方法。一种电容式触摸屏的干膜式制备方法：一、制作触摸屏边框；二、贴导电纳米干膜形成透明导电膜层；三、进行图案化形成透明触控电极；四、在涂布透明电极绝缘保护层；五、涂布周边引线；六、涂布透明保护层，即完成电容式触摸屏的制备。本发明的一种电容式触摸屏的干膜式制备方法，由于导电纳米干膜极佳的导电性，优于ITO薄膜材料的高透过率特性，省去了ITO透明导电电极所必需的消隐层结构及所需的真空溅射设备；贴膜工艺使银纳米线透明导电膜可以应用到玻璃盖板之上；简化工艺、降低成本、提高良率，增大透过率，适用且不限于OGS、TOL、OPS等结构的触摸屏制备。

技术领域

本发明涉及触摸屏制造领域，特别是涉及一种电容式触摸屏的干膜式制备方法。

背景技术

随着现代触控技术的进步，触摸屏应用范围不断扩大，手机、平板电脑中触控功能几近成为标准配置；在笔记本电脑、超极本、一体机中，具备触控功能的产品占有市场份额也不断扩大；从触摸屏产业的角度看，触摸屏低成本、量产性是未来发展的方向；而对于普通消费者，触摸屏的轻薄性、高透过性则会得到更多关注；传统的电阻式触摸屏逐步被更轻薄、触控性能更佳的电容式触摸屏技术所取代；在诸多电容式触摸屏结构中，以OGS及TOL结构的触摸屏轻薄性、透过率最佳；对于已有OGS及TOL工艺，业界通常使用单层ITO或ITO垮桥结构来形成触摸电极结构，工艺上需要使用真空溅射设备沉积ITO薄膜，然后使用黄光制程形成图形，对于垮桥结构还需在垮桥下制作透明绝缘层材料；无论是哪种结构，都需要昂贵的真空溅射工艺沉积ITO透明导电膜层；为了降低成本，业界已经开始使用金属纳米线透明导电膜来替代ITO透明导电层，但由于金属纳米线墨水与玻璃的粘附性不佳的问题，导致金属纳米线墨水目前只涂布在PET薄膜上，再使用OCA贴膜工艺将PET透明导电膜贴合在玻璃盖板之上，形成GFilm结构的电容式触摸屏结构，此种制程不仅由于贴合的良率问题增加成本，还因为贴附PET膜而增加了触摸屏的厚度，不利于产品轻薄化和提升产品透过率。

发明内容

本发明提供了一种电容式触摸屏的干膜式制备方法，避免使用成本高昂的氧化铟锡(ITO)材料及溅射氧化铟锡透明导电层所需的真空镀膜设备；并且由于金属纳米线透明导电膜极佳的导电性，优于ITO薄膜材料的高透过率特性，省去了ITO透明导电电极所必须的消隐层结构及所需的真空溅射设备；贴膜工艺使银纳米线透明导电膜可以应用到玻璃盖板之上，简化工艺、降低成本、提高良率，增大透过率，适用且不限于OGS、TOL、OPS等结构的触摸屏制备。

一种电容式触摸屏的干膜式制备方法，具体是按以下步骤进行的：一、在透明盖板上使用印刷工艺制作触摸屏边框；二、采用导电纳米干膜通过贴膜工艺贴附在盖板的上表面，形成透明导电膜层；三、对透明导电膜层通过黄光制程进行图案化，在透明导电膜层的表面形成透明触控电极；四、在透明导电膜层的上方涂布透明电极绝缘保护层；五、通过低温固化导电银浆涂布周边引线；六、在最上侧涂布透明保护层，即完成电容式触摸屏的制备。

步骤二中，所述导电纳米干膜包括金属纳米线干膜或碳纳米管干膜；其中，金属纳米线干膜所采用的金属纳米线材料为金纳米线材料、银纳米线材料、铜纳米线材料和铝纳米线材料中的一种或其中几种按任意比例的混合纳米线材料；所述金属纳米线干膜包括金属纳米线干膜基片、金属纳米线衬底、金属纳米线透明导电层和金属纳米线上保护膜；所述碳纳米管干膜包括碳纳米管干膜基片、碳纳米管衬底、碳纳米管透明导电层和碳纳米管上保护膜；其中，金属纳米线干膜和碳纳米管干膜中衬底的厚度皆为3-50μm；金属纳米线干膜的金属纳米线透明导电层的厚度为40-120nm、方阻值为10-200ohm/sq；碳纳米管干膜的碳纳米管透明导电层的厚度为20-120nm、方阻值为10-300ohm/sq。

步骤二中所述贴膜工艺为：使用贴膜机揭下干膜基片后，直接贴附在透明盖板的上表面，贴膜温度为50-180℃，然后，撕掉上保护膜。

步骤一中的透明盖板为钢化玻璃、普通玻璃或透明塑料基板。

步骤一中的触摸屏边框的厚度为1-20μm。