[发明专利]半导体装置和过电流保护装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

第一主MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，所述第一主MOSFET包括形成在所述衬底的主表面侧的第一源电极和形成在所述衬底的背表面侧的第一漏电极；

第二主MOSFET，所述第二主MOSFET具有形成在所述衬底的所述主表面侧的第二源电极并且与所述第一主MOSFET共享所述第一漏电极；

第一感测MOSFET，所述第一感测MOSFET包括形成在所述衬底的所述主表面侧的第一感测电极和形成在所述衬底的所述背表面侧的第二漏电极，并且检测在所述第一主MOSFET中流动的主电流；

第二感测MOSFET，所述第二感测MOSFET具有形成在所述衬底的所述主表面侧的第二感测电极，与所述第一感测MOSFET共享所述第二漏电极，并且检测在所述第二主MOSFET中流动的主电流；

第一栅极焊盘，所述第一栅极焊盘电耦合到所述第一主MOSFET的栅电极和所述第一感测MOSFET的栅电极，并且形成在所述衬底的所述主表面侧，以及

第二栅极焊盘，所述第二栅极焊盘电耦合到所述第二主MOSFET的栅电极和所述第二感测MOSFET的栅电极，并且形成在所述衬底的所述主表面侧。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，使用公共金属层来构成所述第一漏电极和所述第二漏电极，以及

其中，所述第一感测MOSFET的源极扩散层和所述第二主MOSFET的源极扩散层之间的最短距离以及所述第二感测MOSFET的源极扩散层和所述第一主MOSFET的源极扩散层之间的最短距离中的每个是所述第一感测MOSFET的所述源极扩散层和所述第二感测MOSFET的所述源极扩散层之间的最短距离的至少三倍。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第一漏电极和所述第二漏电极彼此分离。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中，所述第一主MOSFET和所述第二主MOSFET共享第一漏极层，所述第一漏极层是与所述第一漏电极相邻的杂质半导体层，以及

其中，所述第一感测MOSFET和所述第二感测MOSFET共享第二漏极层，所述第二漏极层是与所述第二漏电极相邻并且与所述第一漏极层分离的杂质半导体层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，当从平面图观察所述衬底时，所述第一源电极和所述第二源电极沿着第一方向并排布置，以及

其中，当从平面图观察所述衬底时，所述第一栅极焊盘、所述第一感测电极、所述第二感测电极和所述第二栅极焊盘依次沿着所述第一方向并排布置。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，当从平面图观察所述衬底时，所述第一源电极和所述第二源电极沿着第一方向并排布置，

其中，当从平面图观察所述衬底时，所述第一感测电极和所述第二感测电极沿着所述第一方向并排布置，

其中，当从平面图观察所述衬底时，所述第一栅极焊盘布置在所述第一源电极和所述第一感测电极之间，以及

其中，当从平面图观察所述衬底时，所述第二栅极焊盘布置在所述第二源电极和所述第二感测电极之间。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第三感测MOSFET，所述第三感测MOSFET具有形成在所述衬底的所述主表面侧的第三感测电极，与所述第一感测MOSFET和所述第二感测MOSFET共享所述第二漏电极，并且检测在所述第一主MOSFET中流动的主电流；以及

第四感测MOSFET，所述第四感测MOSFET具有形成在所述衬底的所述主表面侧的第四感测电极，与所述第一感测MOSFET和所述第二感测MOSFET共享所述第二漏电极，并且检测在所述第二主MOSFET中流动的主电流，

其中，所述第一栅极焊盘还电耦合到所述第三感测MOSFET的栅电极，以及

其中，所述第二栅极焊盘还电耦合到所述第四感测MOSFET的栅电极。