[发明专利]电阻性组件的结构及制作方法

权利要求书

1.一种电阻性组件的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

于一第一导电层上形成一第一介电层，并于该第一介电层中形成一第一穿透洞与一第二穿透洞，其中该第一导电层上包括一第一导体与一第二导体，该第一穿透洞位于该第一导体上方且该第二穿透洞位于该第二导体上方；

形成一第一障壁层，覆盖于该第一介电层，且该第一障壁层接触于该第一穿透洞与该第二穿透洞的内表面以及该第一导体与该第二导体；

于该第一障壁层上形成堆栈的一可变电阻层以及一第二障壁层；

蚀刻该第二穿透洞中的该第二障壁层与该可变电阻层，并暴露出该第一障壁层；

形成一第三障壁层和一第二导电层，其中该第三障壁层覆盖于暴露的该第二障壁层以及暴露的该第一障壁层，且该第二导电层覆盖于该第三障壁层；以及

移除该第一介电层一第一表面上方的该第一障壁层、该第二障壁层、该第三障壁层、该第二导电层以及该可变电阻层。

2.如权利要求1所述的电阻性组件的制作方法，其特征在于，更包括下列步骤：

形成一第二介电层，覆盖于该第一介电层的该第一表面、该第一穿透洞与该第二穿透洞；

于该第二介电层中形成一第三穿透洞与一第四穿透洞，其中该第三穿透洞位于该第一穿透洞内的该导电层上方，该第四穿透洞位于该第二穿透洞内的该导电层上方；

形成一第三障壁层，覆盖于该第三穿透洞的内表面并接触于该第一穿透洞内的该第二导电层，且覆盖于该第四穿透洞的内表面并接触于该第二穿透洞内的该第二导电层；以及

形成一第三导体与一第四导体，其中该第三导体接触于该第三穿透洞中的该第三障壁层，该第四导体接触于该第四穿透洞中的该第三障壁层。

3.如权利要求1所述的电阻性组件的制作方法，其特征在于，该可变电阻层包括：

一过渡层；以及

一氧原子捕获层，接触于该过渡层；

其中，该第一障壁层与该第二障壁层其中之一接触于该过渡层，该第一障壁层与该第二障壁层其中另一接触于该氧原子捕获层。

4.如权利要求1所述的电阻性组件的制作方法，其特征在于，该第一障壁层、该第二障壁层或者该第二障壁层包括堆栈的多个子障壁层。

5.一种电阻性组件的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

于一第一导电层上形成一第一介电层，并于该第一介电层中形成一第一穿透洞与一第二穿透洞，其中该第一导电层上包括一第一导体与一第二导体，该第一穿透洞位于该第一导体上方且该第二穿透洞位于该第二导体上方；

形成一第一障壁层，接触于该第一穿透洞的内表面、该第二穿透洞的内表面、该第一导体与该第二导体；

形成一第一导电插塞与第二导电插塞，其中该第一导电插塞接触于该第一障壁层且填满该第一穿透洞，该第二导电插塞接触于该第一障壁层且填满该第二穿透洞；

形成一第二介电层，覆盖于该第一介电层、该第一穿透洞与该第二穿透洞；

于该第二介电层中形成一第三穿透洞，其中该第三穿透洞位于该第一穿透洞上方，并暴露出该第一导电插塞；

形成一第二障壁层，覆盖于该第二介电层，且该第二障壁层接触于该第三穿透洞的内表面以及该第一导电插塞；

于该第二障壁层上形成堆栈的一可变电阻层和一第三障壁层；

于该第二穿透洞上方形成一第四穿透洞，并暴露出该第二导电插塞，其中蚀刻该第二穿透洞上方的该第三障壁层、该可变电阻层、该第二障壁层与该第二介电层后形成该第四穿透洞；

形成一第四障壁层，覆盖于该第三障壁层且该第四障壁层接触于该第四穿透洞的内表面以及该第二导电插塞；

形成一第二导电层，覆盖于该第四障壁层；

移除该第二介电层一第一表面上方的该第二障壁层、该第三障壁层、该第四障壁层、该第二导电层与该可变电阻层。