[发明专利]晶圆干燥方法

说明书

本发明涉及一种晶圆干燥方法，包括：提供待干燥晶圆；对所述晶圆进行微波加热处理；对所述晶圆进行表面干燥处理。上述晶圆干燥方法可以提高晶圆干燥效率，减少水痕缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆干燥方法。

背景技术

在整个芯片制作过程中，几乎每道工序都涉及到清洗工艺。每道清洗工艺的最后晶圆都要经过干燥处理，这就使晶圆干燥处理成为清洗工艺最后也是最重要的一步。干燥处理不优化直接后果是产生水痕缺陷，对芯片的良率具有较大的影响。

目前，对于干燥技术在类别上主要分为两大类：1.利用机械离心力的旋转干燥法(Spin Dry)；2.利用异丙醇的干燥法(IPA Dry)。

1利用机械离心力的旋转干燥法(Spin Dry)：其原理是利用高速旋转下产生的离心力，并配合空气过滤器所喷下的干净气流，将芯片上的水滴旋干，对于沟渠(Deeptrench)中的水滴根据伯努力原理也会被吸出，蒸发干而无微粒及水痕。

2利用异丙醇的干燥法(IPA Dry)：将潮湿的芯片传至异丙醇(IPA)溢流去离子水(DIW)槽内。异丙醇(IPA)则由N₂作为传输气体，把N₂导入加热的IPA液体，使高挥发性的IPA产生气态IPA传入槽内。结合晶圆从溢流DIW槽内缓慢拉起的动作将使晶圆表面的IPA浓度高于液面，这样借由IPA浓度差水滴流入槽内，同时IPA高挥发性可将晶圆表面水份脱水干燥。

上述方法对晶圆进行干燥的过程中，晶圆外层首先被干燥，然后再对内部进行干燥。晶圆外层首先干燥会阻碍内部水分继续外移，使得晶圆内部不易被干燥，影响干燥效率。

因此，对晶圆进行干燥处理的效率还有待进一步的提高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种晶圆干燥方法，可以提高对晶圆进行干燥处理的效率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种晶圆干燥方法，包括：提供待干燥晶圆；对所述晶圆进行微波加热处理；对所述晶圆进行表面干燥处理。

可选的，所述表面干燥处理包括采用旋转干燥法或利用异丙醇的干燥法中的至少一种。

可选的，在所述表面干燥处理之前进行微波加热处理。

可选的，所述微波加热处理和表面干燥处理同时进行。

可选的，所述微波加热处理过程中，通过微波发生器发射垂直于晶圆表面或倾斜于晶圆表面的微波，使晶圆表面和内部的水分子同时受到微波作用。

可选的，所述微波加热处理采用的微波频率为915MHz～2450MHz。

可选的，所述微波加热处理将晶圆加热至温度50℃～200℃。

本发明的晶圆干燥方法结合微波加热处理以及表面干燥处理，通过微波加热处理，通过对晶圆内部及表面的水分进行加热，提高晶圆内部水分向外蒸发的效率，并且，通过表面干燥处理，对晶圆表面进行干燥，并且避免水痕缺陷，从而可以提高晶圆干燥的效率。

附图说明

图1为本发明一具体实施方式的晶圆干燥方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的晶圆干燥方法的具体实施方式做详细说明。

该具体实施方式中，所述晶圆干燥方法包括：

步骤S101：提供待干燥晶圆。

所述晶圆为芯片制作过程中进行清洗之后的晶圆，所述晶圆不仅包括单晶硅片，还包括单晶硅片上形成有介质层、器件层、金属互连层等单层或多层结构的晶圆。