[发明专利]指纹识别屏及其制备方法在审
申请号: | 201711414380.3 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108242460A | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 张腾飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市金立通信设备有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15;H01L21/77;G06K9/00;G06F3/042 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 黄志云 |
地址: | 518040 广东省深圳市福田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示功能 功能单元 指纹识别屏 感光功能 光敏半导体层 指纹识别功能 并列设置 阳极基板 功能层 制备 指纹识别模块 功能层表面 指纹识别区 层叠结合 单独设置 单元集成 发光功能 所在区域 纵向层叠 背电极 发光层 赋予 | ||
1.一种指纹识别屏,其特征在于,所述指纹识别屏包括:阳极基板,设置在所述阳极基板上的功能层,以及结合在所述功能层表面的背电极,所述功能层包括若干个并列设置的功能单元,所述功能单元至少包括显示功能单元,部分所述功能单元包括并列设置的显示功能单元和感光功能单元,包括所述显示功能单元和感光功能单元的所述功能单元所在区域形成指纹识别区;
其中,所述显示功能单元至少包括发光层;所述感光功能单元包括纵向层叠结合或横向层叠结合的P型光敏半导体层和N型光敏半导体层。
2.如权利要求1所述的指纹识别屏,其特征在于,所述感光功能单元彼此不相邻。
3.如权利要求1所述的指纹识别屏,其特征在于,所述感光功能单元与所述显示功能单元不接触。
4.如权利要求3所述的指纹识别屏,其特征在于,以所述显示功能单元中像素点的宽度为100%计,所述感光功能单元与所述显示功能单元之间的间距≥所述显示功能单元中像素点的宽度的10%。
5.如权利要求1-4任一项所述的指纹识别屏,其特征在于,所述功能单元均包括并列设置的显示功能单元和感光功能单元,所述指纹识别屏为全屏指纹识别屏。
6.如权利要求1-4任一项所述的指纹识别屏,其特征在于,所述P型光敏半导体层的材料选自有机P型光敏半导体材料或无机P型光敏半导体材料;和/或
所述N型光敏半导体层的材料选自有机N型光敏半导体材料或无机N型光敏半导体材料。
7.如权利要求1-4任一项所述的指纹识别屏,其特征在于,所述显示功能单元为有机显示功能单元或量子点显示功能单元。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的指纹识别屏的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供阳极基板;
在所述阳极基板上沉积并列设置的显示功能单元和感光功能单元,制备功能层,其中,所述感光功能单元包括纵向层叠结合或横向层叠结合的P型光敏半导体层和N型光敏半导体层;
在所述功能层表面真空蒸镀背电极。
9.一种如权利要求8所述的指纹识别屏的制备方法,其特征在于,在制备所述功能层的步骤中,采用金属掩膜板将所述显示功能单元与所述感光功能单元隔离;
在制备所述感光功能单元的步骤中,采用金属掩膜板将所述P型光敏半导体层和所述N型光敏半导体层隔离。
10.一种如权利要求8所述的指纹识别屏的制备方法,其特征在于,所述显示功能单元采用真空蒸镀的方法制备。
11.一种如权利要求8-10任一项所述的指纹识别屏的制备方法,其特征在于,所述P型光敏半导体层和/或所述N型光敏半导体层为有机光敏材料,光敏半导体层采用真空蒸镀的方法制备;或
所述P型光敏半导体层和/或N型光敏半导体层为无机光敏材料,光敏半导体层采用喷墨打印的方法制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的