[发明专利]一种掺锰的卤化铅铯荧光玻璃薄膜的静电制备方法在审
| 申请号： | 201711399246.0 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108258104A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 向卫东;何美玲;梁晓娟 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 卤化 荧光玻璃 量子点 制备 静电 油酸 氮气保护条件 玻璃表面 厚度均匀 离心纯化 两块玻璃 密封隔绝 外界环境 完全溶解 薄膜夹 长久性 抽真空 可溶解 排气泡 碳酸铯 油酸盐 正己烷 甲苯 铅盐 涂覆 油墨 溶解 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺锰的卤化铅铯荧光玻璃薄膜的静电制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)首先将碳酸铯和油酸溶解于1-十八稀中，在氮气保护条件下得到铯油酸盐溶液；
(2)然后将MnCl2·(H2O)4和PbX2按比例溶解于十八稀中，最后将第一步制得的铯油酸盐快速的注入到完全溶解的、温度范围为140℃～200℃的掺锰的卤化铅盐溶液中，得到的产物即为Mn-doped CsPbX3量子点；
(3)接着离心纯化，量子点可溶解在正己烷中；
(4)将制备好的Mn-doped CsPbX3量子点均匀分布于油墨中，通过匀胶机使其最大化均匀，然后涂覆于玻璃表面形成厚度均匀的一层薄膜，该薄膜夹在两块玻璃中间，通过抽真空排气泡使该薄膜与外界环境密封隔绝，得到掺锰的卤化铅铯量子点荧光玻璃薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种掺锰的卤化铅铯荧光玻璃薄膜的静电制备方法，其特征在于，所述Mn-doped CsPbX3量子点为Mn-doped CsPbCl3量子点、Mn-doped CsPb(Cl/Br)3量子点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州大学，未经温州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711399246.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
