[发明专利]一种太阳能电池的制作方法及点接触的实现方法在审
申请号: | 201711396358.0 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN108091729A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 徐冠群;包健;张昕宇;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 点接触 通孔 钝化膜 硅基体 浆料 烧穿 金属区域 制作 点状区域 开路电压 转换效率 烧结 背电场 发射极 扩散层 烘干 点状 复合 印刷 申请 | ||
1.一种点接触的实现方法,其特征在于,包括:
在硅基体的表面制作扩散层和钝化膜;
将所述钝化膜开设出点状的通孔,所述通孔与发射极和/或背电场的位置相对应;
在所述通孔中印刷非烧穿型浆料,烘干并烧结所述非烧穿型浆料。
2.根据权利要求1所述的点接触的实现方法,其特征在于,所述将所述通孔的形状为圆形、正方形或菱形。
3.根据权利要求1所述的点接触的实现方法,其特征在于,所述将所述钝化膜开设出点状的通孔为:
利用激光、光刻或浆料刻蚀方式将所述钝化膜开设出点状的通孔。
4.根据权利要求3所述的点接触的实现方法,其特征在于,所述利用激光的方式将所述钝化膜开设出点状的通孔为:
利用频率为20KHz至40KHz、功率为20W至40W、速度为10m/s至50m/s的激光将所述钝化膜开设出点状的通孔。
5.根据权利要求1-4任一项所述的点接触的实现方法,其特征在于,所述在所述通孔中印刷非烧穿型浆料为:
利用间距为1100μm至1400μm的丝网在55N至65N的压力下,在所述通孔中印刷所述非烧穿型浆料。
6.根据权利要求5所述的点接触的实现方法,其特征在于,所述在硅基体的表面制作扩散层和钝化膜为:
在所述硅基体的正面和背面均制作扩散层和钝化膜。
7.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括利用如权利要求1-6任一项所述的方法制作点接触。
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