[发明专利]光伏电池加工工艺以及光伏电池串焊固化装置在审

专利信息
申请号: 201711396039.X 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN107968129A 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 郭政;黄同阳;蔡涔 申请(专利权)人: 君泰创新(北京)科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/20
代理公司: 北京维澳专利代理有限公司11252 代理人: 周放,张春雨
地址: 100176 北京市大兴区北京经*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电池 加工 工艺 以及 固化 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种光伏电池加工工艺以及光伏电池串焊固化装置。

背景技术

随着地球上石油、煤炭等自然资源日益减少,开发新的自然资源成为当务之急,目前,太阳能以其清洁的优势成为开发的重点。

太阳能的利用,主要是通过太阳能电池将太阳光辐射转换成电能和热能等人类可以利用的资源。高效异质结太阳能电池以其高效的优势成为发展重点,在制备异质结太阳能电池时,需要首先制备电池片,电池片制备完成后,将多个电池片通过焊带串焊成电池串,最后将电池串与背板、前板等封装材料封装完成,整个异质结太阳能电池加工完成。

在上述制备异质结太阳能电池的过程中,电池片制备的最后一道工序一般为银浆电极的印刷,然后进行银浆的烘干和固化;电池片加工完成后,紧接着为串焊电池片的工序。目前,进行银浆的固化时,需要使用红外加热方式,而在电池片串焊时,同样需要用到红外加热的方式。

目前,电池片的银浆固化和电池片的串焊分别进行红外加热加工,导致资源的浪费,以及加工时间延长,降低了生产效率。

发明内容

本发明的目的提供一种光伏电池加工工艺以及光伏电池串焊固化装置,以解决上述问题,节省资源,缩短加工时间,提高生产效率。

本发明提供的一种光伏电池加工工艺,包括:

步骤S1:在单晶硅片的两侧表面进行镀膜;

步骤S2:在镀膜完成的单晶硅片的一侧表面上制备第一电极;

步骤S3:在镀膜完成的单晶硅片的另一侧表面上制备第二电极,以形成电池片;

步骤S4:使用光伏电池串焊固化装置,将多个所述电池片进行串焊,同时对所述第一电极和所述第二电极进行固化。

如上所述的光伏电池加工工艺,其中,优选的是,步骤S1具体包括:

步骤S11:对单晶硅片的两面进行制绒和清洗;

步骤S12:在单晶硅片的一面依次沉积第一本征钝化层和第一非晶硅掺杂层;在单晶硅片的另一面依次沉积第二本征钝化层和第二非晶硅掺杂层;

步骤S13:在第一非晶硅掺杂层上沉积第一透明导电层;在第二非晶硅掺杂层上沉积第二透明导电层。

如上所述的光伏电池加工工艺,其中,优选的是,步骤S2具体包括:

步骤S21:在第一透明导电层上将银和树脂的混合溶液通过丝网印刷形成第一电极;

步骤S22:烘干所述第一电极。

如上所述的光伏电池加工工艺,其中,优选的是,步骤S3具体包括:

步骤S31:在第二透明导电层上将银和树脂的混合溶液通过丝网印刷方式进行第一次印刷,形成第二电极底层;

步骤S32:烘干第二电极底层;

步骤S33:在第二电极底层上将银和树脂的混合溶液通过丝网印刷方式进行第二次印刷,形成第二电极;

步骤S34:烘干所述第二电极。

如上所述的光伏电池加工工艺,其中,优选的是,步骤S4具体包括:

步骤S41:将多个所述电池片间隔排列在传送装置上,并将焊带摆放在相邻的电池片之间,使焊带的一端与一个电池片的第一电极接触,焊带的另一端与一侧相邻的电池片的第二电极接触;

步骤S42:使用压针将焊带及电池片进行压紧;

步骤S43:使用加热装置进行加热,使焊带与电池片的电极完成焊接以将多个电池片串联,同时所述第一电极和所述第二电极固化。

如上所述的光伏电池加工工艺,其中,优选的是,步骤S43中,加热装置包括设置在传送装置上方的第一加热组件和设置在传送装置下方的第二加热组件;

步骤S43具体包括:打开所述第一加热组件和所述第二加热组件,对焊带、电池片的上表面以及电池片的下表面同时加热,从而使焊带与电池片的电极完成焊接以将多个电池片串联,所述第一电极和所述第二电极固化。

如上所述的光伏电池加工工艺,其中,优选的是,步骤S43还包括,控制所述加热装置以150至230摄氏度之间的温度,对电池片的第一电极和第二电极固化加热40分钟。如上所述的光伏电池加工工艺,其中,优选的是,步骤S12中,采用等离子体增强化学的气相沉积法或者热丝化学气相沉积方式,在单晶硅片的一面依次沉积第一本征钝化层和第一非晶硅掺杂层;在单晶硅片的另一面依次沉积第二本征钝化层和第二非晶硅掺杂层。

如上所述的光伏电池加工工艺,其中,优选的是,步骤S13中,采用物理气相沉积方式,在第一非晶硅掺杂层上沉积第一透明导电层;在第二非晶硅掺杂层上沉积第二透明导电层。

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