[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201711364495.6 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108206203B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 任相炫;吴忠玩;赵大揆;成基荣;朴泳柱 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;吴琼 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
提供了一种有机发光二极管显示器,还提供了有机发光二极管显示器的制造方法。有机发光二极管显示器包括多个像素,每个像素包括有机发光二极管,并且该有机发光二极管显示器包括:基板;在基板上的水平线;在水平线上的至少一个第一绝缘层;在所述至少一个第一绝缘层上的屏蔽电极;在屏蔽电极上的至少一个第二绝缘层;在所述至少一个第二绝缘层上的数据线,数据线与水平线交叉,屏蔽电极在水平线与数据线的交叉处与水平线和数据线交叠;以及连接到屏蔽电极的恒定电压源。
技术领域
本公开涉及有机发光二极管显示器及其制造方法。
背景技术
已经使用各种类型的平板显示器(FPD)来替代较重和较大的阴极射线管(CRT)。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)和有机发光二极管(OLED)显示器。
更详细地,OLED显示器是被配置成通过激发有机化合物来发光的自发射显示装置。OLED显示器不需要在液晶显示器中所需的背光单元,因此具有薄外型、轻重量和简单的制造过程。由于OLED显示器也可以在低温下制造,并且具有包括1ms或更小的快速响应时间、低功耗、宽视角、高对比度等的特性,因此OLED显示器已被广泛使用。
OLED显示器包括有机发光二极管,每个有机发光二极管将电能转换为光能。每个有机发光二极管包括阳极、阴极以及在阳极和阴极之间的有机发光层。空穴从阳极注入,并且电子从阴极注入。当通过阳极和阴极注入的空穴和电子被注入有机发光层时,空穴和电子复合以形成激子。激子在将能量转换成光时发光。
由于近来期望显示装置的高分辨率,所以像素的尺寸趋向于变得越来越小。每个像素包括晶体管、电容器和有机发光二极管。随着具有上述配置的像素的尺寸变小,晶体管和信号线(例如,扫描线和数据线)被集成并且被布置成彼此靠近。
扫描线和数据线被布置成彼此交叉,并且在扫描线和数据线的交叠部分中形成寄生电容。在这种情况下,由于施加到数据线的数据电压的变化,在施加到扫描线的电压中可能出现波动。用户可以将由数据电压干扰所产生的波动现象识别为有缺陷的驱动,例如亮度降低。有缺陷的驱动导致显示装置的显示质量和可靠性降低。
发明内容
因此,本公开涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的有机发光二极管显示器及其制造方法。
本公开的一方面在于提供一种有机发光二极管显示器,其能够通过进一步包括屏蔽电极来防止或减少在与数据线交叉的信号线中出现的由数据电压的变化而导致的波动。
附加的特征和方面将在下面的描述中阐述,并且部分将从描述中变得明显,或者部分可以通过本文提供的发明构思的实践中获知。本发明构思的其他特征和方面可以通过书面描述中特别指出的结构或由此可推导出的结构以及其权利要求和附图来实现和获得。
为了实现如所呈现和广泛描述的本发明构思的这些和其他方面,提供了一种有机发光二极管显示器,该有机发光二极管显示器包括多个像素,每个像素包括有机发光二极管,该有机发光二极管显示器包括:基板;在基板上的水平线;在水平线上的至少一个第一绝缘层;在所述至少一个第一绝缘层上的屏蔽电极;在屏蔽电极上的至少一个第二绝缘层;在所述至少一个第二绝缘层上的数据线,数据线与水平线交叉,屏蔽电极在水平线与数据线的交叉处与水平线和数据线交叠;以及连接到屏蔽电极的恒定电压源。
另一方面,提供了一种制造有机发光二极管显示器的方法,该方法包括设置多个像素,每个像素包括有机发光二极管,该方法包括:设置基板;在基板上设置水平线;在水平线上设置至少一个第一绝缘层;在所述至少一个第一绝缘层上设置屏蔽电极;在屏蔽电极上设置至少一个第二绝缘层;在所述至少一个第二绝缘层上设置数据线,数据线与水平线交叉,屏蔽电极在水平线与数据线的交叉处与水平线和数据线交叠;以及设置连接到屏蔽电极的恒定电压源。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的