[发明专利]一种带有钝化层的GaN‑HEMT芯片的制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及GaN-HEMT芯片领域，尤其是涉及一种带有钝化层的GaN-HEMT芯片的制作工艺。

背景技术

半导体芯片的发明是二十世纪的一项创举，使人类相继进入了电子工业时代和信息化时代。综合利用多种半导体材料和器件功能制备而成的微波集成电路是当前发展各种高科技武器的重要支柱，广泛用于各种先进的战术导弹、电子战、通信系统、陆海空基的各 种先进的相控阵雷达 ( 特别是机载和星载雷达 ) ；在民用商业的移动电话、无线通信、个人 卫星通信网、全球定位系统、直播卫星接收和毫米波自动防撞系统等方面已形成正在飞速 发展的巨大市场。与第一代半导体材料 Si 及第二代半导体材料 GaAs、InP 相比，GaN 具有更大的禁带宽度、更高的电子饱和漂移速度、更高的击穿电压和较高的热导率等特点。GaN 基微电子材料和器件的研究和开发已成为世界各国竞相占领的高科技制高点，是半导体科学、材料 科学、高温电子学、超过兆瓦的固态功率电子学、高功率密度射频电子学的前沿研究领域。

发明内容

本发明的目的在于为解决现有技术的不足，而提供一种带有钝化层的GaN-HEMT芯片的制作工艺。

本发明新的技术方案是：一种带有钝化层的GaN-HEMT芯片的制作工艺，所述的带有钝化层的GaN-HEMT芯片的制作工艺步骤为：

1）由GaN外延片为原材料，通过MESA光刻工艺，进行ICP刻蚀，然后在MESA后的外延片上涂一层光刻胶，用SD光刻板在MESA后的外延片上形成SD电极的图形，然后进行金属淀积，形成欧姆接触；制作G极金属，形成肖特基接触，则完成G极制作；

2）以等离子增强化学气相沉积（PECVD）方式在氮化镓铝层外层形成一层钝化层，钝化层厚度高于S、D电极的高度；

3）定点刻蚀覆盖于电极区上方的钝化层，露出钝化层。

所述钝化层的成分是氮化硅。

本发明的有益效果为：本发明有效抑制电流崩塌、提升击穿电压。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

图2为刻蚀钝化层后的HEMT器件结构示意图。

其中：1为S极，2为G极，3为钝化层，4为GaN外延片，5为D极。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

一种带有钝化层的GaN-HEMT芯片的制作工艺，所述的带有钝化层的GaN-HEMT芯片的制作工艺步骤为：

1）由GaN外延片4为原材料，通过MESA光刻工艺，进行ICP刻蚀，然后在MESA后的外延片上涂一层光刻胶，用SD光刻板在MESA后的外延片上形成SD电极的图形，然后进行金属淀积，形成欧姆接触；制作G极金属，形成肖特基接触，则完成G极2制作；

2）以等离子增强化学气相沉积（PECVD）方式在氮化镓铝层外层形成一层钝化层3，钝化层3厚度高于S极1、D极5的高度；

3）定点刻蚀覆盖于电极区上方的钝化层3，露出钝化层3。

所述钝化层3的成分是氮化硅。