[发明专利]跨尺度分辨率的光场图像超分辨率及深度估计方法及装置有效

专利信息
申请号: 201711362812.0 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN108053368B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 刘烨斌;赵漫丹;戴琼海 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G06T3/40 分类号: G06T3/40;G06T7/50;G06T5/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张润
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 尺度 分辨率 图像 深度 估计 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种跨尺度分辨率的光场图像超分辨率及深度估计方法,其特征在于,包括以下步骤:

通过单张图像超分辨率SISR方法对位于低分辨率视角的光场图像进行上采样;

将位于中间视角的高分辨率图像下采样后,利用所述SISR方法进行上采样,并获取误差图;

获取光场中所述高分辨率图像与上采样后的图像的视差图并利用光场固有属性对视差图进行全局优化,同时进行补洞操作,使得所述视差图估计无法估计到的区域进行重新估计;

利用全局视差图对所述误差图进行传递,使得图像恢复高分辨率信息,以实现光场的超分辨率重建;以及

根据所述超分辨率后的光场图像进行场景的深度估计,获取深度估计结果;

其中,所述获取光场中所述高分辨率图像与上采样后的图像的视差图并利用光场固有属性对视差图进行全局优化,进一步包括:通过十字模型估算方法得到光场中心位置与任意位置视差图;通过全局优化过程得到所述视差图,以避免所述光场中遮挡因素造成的部分区域估计误差;

所述进行补洞操作,进一步包括:利用孔洞周边邻域信息对孔洞进行补充,补充公式为:

其中,f为邻域像素值,ω为权值,i为当前待补洞位置的横坐标,j为当前待补洞位置的纵坐标,k为位于其窗口邻域位置的横坐标,l为位于其窗口邻域位置的纵坐标;

其中,利用全局视差图对所述误差图进行传递,使得图像恢复高分辨率信息,以实现光场的超分辨率重建,包括:利用优化后的视差图对所述误差图传递到光场每个视角当中,以得到所述每个视角下的缺失的高频细节信息,即:

DS=fwarping(DR),

其中,DS为该视角下的高频细节信息,DR为所述误差图;

所述根据所述超分辨率后的光场图像进行场景的深度估计,进一步包括:将重建后的的高分辨率光场图像利用深度信息对场景深度进行估计;

利用位于中心视角的高分辨率图像对SISR方法丢失的高频细节部分进行推断;

将经过所述SISR方法得到的图像与高频细节信息DS相加,得到最终期望的输出:

并利用高分辨率光场图像进行场景的深度估计。

2.一种跨尺度分辨率的光场图像超分辨率及深度估计装置,其特征在于,包括:

采样模块,用于通过单张图像超分辨率SISR方法对位于低分辨率视角的光场图像进行上采样;

获取模块,用于将位于中间视角的高分辨率图像下采样后,利用所述SISR方法进行上采样,并获取误差图;

优化模块,用于获取光场中所述高分辨率图像与上采样后的图像的视差图并利用光场固有属性对视差图进行全局优化,同时进行补洞操作,使得所述视差图估计无法估计到的区域进行重新估计;

重建模块,用于利用全局视差图对所述误差图进行传递,使得图像恢复高分辨率信息,以实现光场的超分辨率重建;以及

估计模块,用于根据所述超分辨率后的光场图像进行场景的深度估计,获取深度估计结果;

其中,所述优化模块,进一步包括:通过十字模型估算方法得到光场中心位置与任意位置视差图;通过全局优化过程得到所述视差图,以避免所述光场中遮挡因素造成的部分区域估计误差;

所述进行补洞操作,进一步包括:利用孔洞周边邻域信息对孔洞进行补充,补充公式为:

其中,f为邻域像素值,ω为权值,i为当前待补洞位置的横坐标,j为当前待补洞位置的纵坐标,k为位于其窗口邻域位置的横坐标,l为位于其窗口邻域位置的纵坐标;

其中,利用全局视差图对所述误差图进行传递,使得图像恢复高分辨率信息,以实现光场的超分辨率重建,包括:

利用优化后的视差图对所述误差图传递到光场每个视角当中,以得到所述每个视角下的缺失的高频细节信息,即:

DS=fwarping(DR),

其中,DS为该视角下的高频细节信息,DR为所述误差图;

所述根据所述超分辨率后的光场图像进行场景的深度估计,进一步包括:将重建后的的高分辨率光场图像利用深度信息对场景深度进行估计;

利用位于中心视角的高分辨率图像对SISR方法丢失的高频细节部分进行推断;

将经过所述SISR方法得到的图像与高频细节信息DS相加,得到最终期望的输出:

并利用高分辨率光场图像进行场景的深度估计。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711362812.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top