[发明专利]柔性基板及其制备方法、柔性OLED器件和显示装置

权利要求书

1.一种柔性基板，其特征在于，包括聚合物基板和形成于所述聚合物基板上的阻隔增透膜系结构；

其中，所述阻隔增透膜系结构包括一个或多个阻隔增透单元，所述阻隔增透单元包括无机水氧阻隔层和形成于所述无机水氧阻隔层上的增透层，且所述阻隔增透膜系结构以所述无机水氧阻隔层与所述聚合物基板接触；当所述阻隔增透单元为多个时，所述阻隔增透膜系结构中多个所述无机水氧阻隔层和多个所述增透层交替层叠设置；

所述无机水氧阻隔层的折射率为n，其中1.45n≤2.35，所述增透层的折射率小于或等于1.45，且所述无机水氧阻隔层的折射率大于所述聚合物基板的折射率；所述增透层的材料选自SiCx’Oy’，其中，0＜x’≤0.2，0≤y’≤2，且在SiCx’Oy’中C与O原子个数比例为0～10：100。

2.如权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，所述无机水氧阻隔层的材料选自TiO₂和SiNxOy中的至少一种，其中，0x≤4/3，0≤y2，且在SiNxOy中O与N的原子个数比例为0～50:100。

3.如权利要求2所述的柔性基板，其特征在于，所述无机水氧阻隔层的材料为SiNxOy，其中，1≤x≤4/3，0≤y≤0.5，且在SiNxOy中O与N原子个数比例为0～10：100。

4.如权利要求2所述的柔性基板，其特征在于，所述增透层的材料为SiCx’Oy’，其中，0≤x’≤0.1，1.8≤y’≤2，且在SiCx’Oy’中C与O原子个数比例为4～6：100。

5.如权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，单层的所述无机水氧阻隔层的厚度为50nm～1000nm，单层的所述增透层的厚度为50nm～1000nm。

6.如权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，所述阻隔增透膜系结构中所述阻隔增透单元的数量为2～4个。

7.如权利要求1～6任一项所述的柔性基板，其特征在于，所述聚合物基板为PI基板或PES基板，所述聚合物基板的厚度为5μm～3000μm。

8.如权利要求1～7任一项所述柔性基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

于所述聚合物基板上形成所述无机水氧阻隔层；

于所述水氧阻隔层上形成所述增透层，即得柔性基板。

9.一种柔性OLED器件，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的柔性基板。

10.包含如权利要求1～7任一项所述的柔性基板的显示装置。