[发明专利]互连结构的蚀刻轮廓控制

说明书

一种形成半导体结构的方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；以及在金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层。该方法进一步包括在ILD层上方形成沟槽蚀刻开口，在沟槽蚀刻开口上方形成覆盖层，以及在覆盖层上方形成通孔蚀刻开口。本发明实施例涉及互连结构的蚀刻轮廓控制。

技术领域

本发明实施例涉及互连结构的蚀刻轮廓控制。

背景技术

随着半导体技术的进步，对于较高存储电容、较快处理系统、较高性能和较低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体产业持续地按比例缩小诸如包括平面MOSFET和鳍式场效应晶体管(FinFET)的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的半导体器件的尺寸。这种按比例缩小增加了半导体制造工艺的复杂性。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种形成互连结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层；在所述层间介电层上方形成低温氧化物层；在所述低温氧化物层上方形成覆盖层；以及在所述覆盖层中形成通孔蚀刻开口。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层；在所述层间介电层上方形成沟槽蚀刻开口；在所述沟槽蚀刻开口上方形成覆盖层；以及在所述覆盖层上方形成通孔蚀刻开口。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种集成电路，包括：半导体器件，包括接触件结构；以及互连结构，连接至所述接触件结构，所述互连结构包括：蚀刻停止层，设置在所述半导体器件上方；金属氧化物层，设置在所述蚀刻停止层上方；层间介电(ILD)层，设置在所述金属氧化物层上；以及导电通孔，设置在所述金属氧化物层和所述层间介电层内。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1A是根据一些实施例的集成电路的截面图。

图1B是根据一些实施例的互连结构的截面图。

图1C是互连结构的截面图。

图2是根据一些实施例的用于制造互连结构的方法的流程图。

图3-图7是根据一些实施例的集成电路在其制造工艺的各个阶段处的截面图。

图8是部分形成的互连结构的截面图。

图9是根据一些实施例的集成电路在其制造工艺的一个阶段处的截面图。

图10-图12是根据一些实施例的集成电路在其制造工艺的各个阶段处的截面图。

图13是部分形成的互连结构的截面图。

图14是根据一些实施例的集成电路的截面图。

现在将参考附图描述说明性实施例。在图中，类似的参考标号一般表示相同、功能类似和/或结构类似的元件。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。