[发明专利]互连结构的蚀刻轮廓控制

权利要求书

1.一种形成互连结构的方法，所述方法包括：

在衬底上形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上形成衬层，所述衬层包括掺氧的碳化物材料；

在所述衬层上形成金属氧化物层；

在所述金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层；

在所述层间介电层上方形成低温氧化物层；

在所述低温氧化物层上方形成覆盖层，其中，所述低温氧化物层的沉积温度低于所述覆盖层的沉积温度；以及

在所述覆盖层中形成通孔蚀刻开口。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述覆盖层中形成所述通孔蚀刻开口包括：

在所述覆盖层上沉积光刻胶层；以及

穿过所述光刻胶层中的图案来蚀刻所述覆盖层。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述层间介电层中且在所述金属氧化物层上形成通孔；以及

穿过所述通孔蚀刻所述金属氧化物层的部分。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述通孔中沉积导电材料。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述通孔的侧壁与水平轴形成70°至80°的角度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述覆盖层包括氧化物材料。

7.根据权利要求1的方法，其中，所述金属氧化物层包括铬、铝、钛、锡、锌、镁或银。

8.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：

在衬底上形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上形成衬层；

在所述衬层上形成金属氧化物层；

在所述金属氧化物层上形成层间介电(ILD)层，其中，所述蚀刻停止层、所述衬层、所述金属氧化物层和所述层间介电层形成垂直堆叠件；在所述层间介电层上方形成沟槽蚀刻开口；

在所述沟槽蚀刻开口上方形成低温氧化物层；

在所述低温氧化物层上方形成覆盖层，其中，所述低温氧化物层的沉积温度低于所述覆盖层的沉积温度；以及

在所述覆盖层上方形成通孔蚀刻开口。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述低温氧化物层包括氧化硅。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括分别在所述沟槽蚀刻开口上方和所述覆盖层上方形成第一硅基层和第二硅基层。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括分别在所述沟槽蚀刻开口上方和所述覆盖层上方形成第一有机层和第二有机层。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述沟槽蚀刻开口包括：

在所述层间介电层上沉积无氮介电层；以及

在所述无氮介电层上图案化硅基层和氮化物层。

13.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述低温氧化物层中形成另一通孔蚀刻开口，所述另一通孔蚀刻开口的宽度小于所述通孔蚀刻开口的宽度。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述覆盖层包括氧化物材料。

15.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述层间介电层和所述金属氧化物层中形成通孔。

16.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述层间介电层、所述金属氧化物层和所述蚀刻停止层中形成通孔。

17.根据权利要求8的方法，其中，所述金属氧化物层包括铬、铝、钛、锡、锌、镁或银。