[发明专利]一种复合物材料的制备方法与QLED器件

说明书

本发明公开一种复合物材料的制备方法与QLED器件，方法包括步骤：提供表面连接有氨基或羧基的量子点材料；提供表面连接有氨基或羧基的TADF材料；将表面连接有氨基的量子点材料与表面连接有羧基的TADF材料混合，使所述量子点材料与所述TADF材料进行氨基与羧基的缩合反应，得到复合物材料；或将表面连接有羧基的量子点材料与表面连接有氨基的TADF材料混合，使所述量子点材料与所述TADF材料进行羧基与氨基的缩合反应，得到所述复合物材料。本发明复合物材料可以使TADF材料把能量更有效地传递给量子点，而且在量子点材料表面连接配体可以有效提高发光效率，增强QLED器件的电流效率和发光均匀性。

技术领域

本发明涉及QLED器件领域，尤其涉及一种复合物材料的制备方法与QLED器件。

背景技术

胶体量子点因其荧光效率高、单色性好，发光波长可调控和稳定性好而在显示器件领域有着可观的应用前景。基于量子点的发光二极管（量子点发光二极管，Quantum dotlight-emitting diode，QLED）具有更好的色彩饱和度、能效色温以及寿命长等优点，有望成为下一代固体照明和平板显示的主流技术。

量子点发光二极管一般包括量子点发光层，电极以及在这两者之间的功能层，其中功能层一般包括有空穴注入层，空穴传输层，电子传输层，阴极传输层等。人们不断改进材料体系、器件界面特征、发光材料优化，以改善器件的发光性能。

在电致发光过程中，通过构建合适的能量传递途径可以有效增强器件的发光效率。假设有这样一对荧光材料A与B，A的发射光谱与B的吸收光谱有较大的重叠，且A、B间距离足够接近(﹤10 nm)，那么当A处于激发态时，A就会以供体的身份把能量非辐射地传递给受体B，致使B发光或者仅作为淬灭剂而吸收能量，同时A的发光受到衰减或者淬灭，这种现象称为荧光共振能量传递(Förster Resonance Energy Transfer，FRET)。

同时，在电致发光过程中，形成单线态激子与三线态激子的统计概率为1:3，因此对于量子点电致荧光器件，其最大激子利用率通常不超过25%，这直接导致器件的效率低下、发热严重。

因此，通过有效设计出有机-无机复合量子点荧光材料，实现对含量高达75%的三重态激子的有效利用具有重要意义。而有机电致延迟荧光材料可有效利用三线态激子，延迟荧光材料按照发光机理可分为E-型延迟荧光和P-型延迟荧光。E-型延迟荧光也称为热激活延迟荧光（thermally activated delayed fluorescence，TADF），是一种热激活的长寿命荧光发射，由于在热激活的情况下，三重态激子通过反系间窜越过程（ReverseIntersystem Crossing, RISC）回到能量更高的单重态激发态，随后其通过辐射跃迁途径失活产生荧光。RISC过程的反应速率正比于玻尔兹曼能垒exp(-△EST/kT)（其中△EST为单线态和三线态间的能量差，k为ISC的速率），因此，随着△EST的减小，RISC的反应速率将趋近于ISC过程的反应速率。故而只要有足够的热量将三线态激子通过RISC过程转换为单线态激子，三线态激子就可能通过RISC过程回到单线态通过辐射跃迁过程失活。因此能利用△EST较小（小于100 meV）的TADF材料作为发光材料，则其可利用器件工作时候产生的热能，将注入生成的三线态激子通过反系间窜越过程（RISC）高效地转换为单线态激子，当主体材料与量子点发光材料具有良好的能量匹配关系时，主体分子至客体分子间能量转移的主导机制为长程Foster型能量转移，即单重态-单重态能量转移的方式，故有机-无机复合量子点荧光材料对激子的理论利用率也可达100%。

专利号为CN201610237544.9的发明专利中，通过将其所述TADF材料与量子点发光材料共掺杂形成所述发光层，和将其所述荧光材料在其所述发光层一侧或两侧形成能量传递层而能量传递层与发光层相接触等方式制备量子点发光器件。但是通过这两种方式形成的共掺杂发光层或者能量传递层与发光层组合层，其所述荧光材料与量子点之间并没有形成足够近的接触，限制了能量的传递。

因此，现有技术还有待于改进和发展。