[发明专利]一种复合物材料的制备方法与QLED器件有效
申请号: | 201711350172.1 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN109935707B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 张珈铭 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合物 材料 制备 方法 qled 器件 | ||
1.一种复合物材料的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供表面连接有氨基或羧基的量子点材料;
提供表面连接有氨基或羧基的TADF材料;
将表面连接有氨基的量子点材料与表面连接有羧基的TADF材料混合,使所述量子点材料与所述TADF材料进行氨基与羧基的缩合反应,得到所述复合物材料;
或将表面连接有羧基的量子点材料与表面连接有氨基的TADF材料混合,使所述量子点材料与所述TADF材料进行羧基与氨基的缩合反应,得到所述复合物材料。
2.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法,其特征在于,表面连接有氨基的量子点材料的制备方法包括步骤:
将量子点材料溶解于有机溶剂中,得到量子点材料溶液;
向所述量子点材料溶液中加入有机胺和偶联剂,使所述量子点材料与有机胺反应,得到表面连接有氨基的量子点材料。
3.根据权利要求2所述的复合物材料的制备方法,其特征在于,所述有机胺为正丙胺;和/或所述偶联剂为含氨基结构的硅烷偶联剂。
4.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法,其特征在于,表面连接有羧基的量子点材料的制备方法包括步骤:
在以水相法合成量子点材料的过程中,加入含有巯基的有机羧酸,得到表面连接有羧基的量子点材料。
5.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法,其特征在于,表面连接有羧基的TADF材料的制备方法包括步骤:
将TADF材料与溴水溶液反应,生成溴取代的TADF材料;
将所述溴取代的TADF材料与烷基锂混合后与干冰反应,得到含有羧酸锂的TADF材料;
将含有羧酸锂的TADF材料在酸性溶液中进行酸化,得到表面连接有羧基的TADF材料。
6.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法,其特征在于,表面连接有氨基的TADF材料的制备方法包括步骤:
将TADF材料与硝酸在酸性溶剂中反应,生成硝基取代的TADF材料;
将所述硝基取代的TADF材料与九水硫化钠反应,得到表面连接有氨基的TADF材料。
7.根据权利要求5或6所述的复合物材料的制备方法,其特征在于,所述TADF材料为有机芘类衍生物。
8.根据权利要求7所述的复合物材料的制备方法,其特征在于,所述有机芘类衍生物选自如下结构式中的一种或多种:
9.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法,其特征在于,将表面连接有氨基的量子点材料与表面连接有羧基的TADF材料混合的步骤中,所述表面连接有氨基的量子点材料与所述表面连接有羧基的TADF材料的重量比为1:(20~90);
或将表面连接有羧基的量子点材料与表面连接有氨基的TADF材料混合的步骤中,所述表面连接有羧基的量子点材料与所述表面连接有氨基的TADF材料的重量比为1:(20~90)。
10.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法,其特征在于,所述TADF材料的荧光光谱与所述量子点材料的吸收光谱至少部分重叠。
11.一种QLED器件,所述QLED器件中包括量子点发光层,其特征在于,所述量子点发光层的材料为权利要求1~10任一项所述方法制备得到的复合物材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择