[发明专利]像素单元及其控制方法、显示装置有效
申请号: | 201711350075.2 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108063156B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 陈磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 及其 控制 方法 显示装置 | ||
1.一种像素单元,其特征在于,所述像素单元包括:红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及可调子像素,
所述可调子像素能够发出预设光集合内的任意一种光,且所述可调子像素发出的光能够在所述预设光集合内调节,所述预设光集合包括:红光、绿光和蓝光中的至少两种光;
所述预设光集合包括:第一波长的绿光和第二波长的蓝光,
所述可调子像素能够在第一电压的激发下发出所述第一波长的绿光,以及在第二电压的激发下发出所述第二波长的蓝光;
所述第一波长的绿光的亮度大于在所述第一电压的激发下所述绿色子像素发出的光的亮度;
所述第二波长的蓝光的亮度大于在所述第二电压的激发下所述蓝色子像素发出的光的亮度;
所述可调子像素的发光层包括:主体材料和掺杂在所述主体材料中的客体材料,所述客体材料包括:窄带隙材料和宽带隙材料,
所述窄带隙材料能够在所述第一电压的激发下发出所述第一波长的绿光,且所述窄带隙材料的激发态寿命大于100微秒;
所述宽带隙材料能够在所述第二电压的激发下发出所述第二波长的蓝光,且所述窄带隙材料的激发态寿命小于100微秒,所述第一电压小于所述第二电压。
2.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述第一波长与所述绿色子像素发出的光的波长不同,所述第二波长与所述蓝色子像素发出的光的波长不同。
3.根据权利要求2所述的像素单元,其特征在于,所述窄带隙材料为金的配合物,所述宽带隙材料为蓝色磷光材料。
4.一种像素单元的控制方法,其特征在于,所述像素单元为权利要求1至3任一所述的像素单元,所述像素单元包括:红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及可调子像素,所述方法包括:
控制所述可调子像素发出预设光集合内的任意一种光,所述预设光集合包括:红光、绿光和蓝光中的至少两种光;
在所述预设光集合内调节所述可调子像素发出的光;
所述预设光集合包括:第一波长的绿光和第二波长的蓝光,
所述可调子像素能够在第一电压的激发下发出所述第一波长的绿光,以及在第二电压的激发下发出所述第二波长的蓝光;
所述第一波长的绿光的亮度大于在所述第一电压的激发下所述绿色子像素发出的光的亮度;
所述第二波长的蓝光的亮度大于在所述第二电压的激发下所述蓝色子像素发出的光的亮度;
所述可调子像素的发光层包括:主体材料和掺杂在所述主体材料中的客体材料,所述客体材料包括:窄带隙材料和宽带隙材料,
所述窄带隙材料能够在所述第一电压的激发下发出所述第一波长的绿光,且所述窄带隙材料的激发态寿命大于100微秒;
所述宽带隙材料能够在所述第二电压的激发下发出所述第二波长的蓝光,且所述窄带隙材料的激发态寿命小于100微秒,所述第一电压小于所述第二电压。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述预设光集合包括:第一波长的绿光和第二波长的蓝光,所述方法还包括:
向所述绿色子像素施加第一电压,以使得所述绿色子像素在所述第一电压的激发下发光;
向所述蓝色子像素施加第二电压,以使得所述蓝色子像素在所述第二电压的激发下发光;
所述控制所述可调子像素发出预设光集合内的任意一种光包括:
在向所述绿色子像素施加所述第一电压时,向所述可调子像素施加所述第一电压,以使得所述可调子像素在所述第一电压的激发下发出所述第一波长的绿光;
或者,在向所述蓝色子像素施加所述第二电压时,向所述可调子像素施加所述第二电压,以使得所述可调子像素在所述第二电压的激发下发出所述第二波长的蓝光;
所述在所述预设光集合内调节所述可调子像素发出的光,包括:
调节向所述可调子像素施加的电压,以在所述预设光集合内调节所述可调子像素发出的光。
6.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至3任一所述的像素单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的