[发明专利]用于系统级封装的硅通孔转接板

权利要求书

1.一种用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：

Si衬底(101)；

SCR管(102)，设置于所述Si衬底(101)内，包括：N⁺接触区(1021)、阳极(1022)、P⁺接触区(1023)和阴极(1024)；

隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内且上下贯通所述Si衬底(101)，用于在所述SCR管(102)外的水平方向形成所述SCR管(102)的封闭区域；

第一绝缘层(104)，设置于所述Si衬底(101)的上表面；

第二绝缘层(105)，设置于所述Si衬底(101)的下表面；

第一TSV区(106)和第二TSV区(107)，设置于所述Si衬底(101)内且位于所述封闭区域的两侧，所述第一TSV区(106)和所述第二TSV区(107)内填充材料为铜；

第一互连线(108)和第二互连线(109)，所述第一互连线(108)设置于所述第一绝缘层(104)内，所述第二互连线(109)设置于所述第二绝缘层(105)内；所述第一互连线(108)用于连接所述第一TSV区(106)的第一端面、所述N⁺接触区(1021)和所述阳极(1022)；所述第二互连线(109)用于连接所述第二TSV区(107)的第一端面、所述P⁺接触区(1023)和所述阴极(1024)，所述第一互连线和所述第二互连线均围绕成螺旋状；

每两个隔离沟槽位于两个TSV之间；隔离沟槽内填充有SiO₂；SCR管器件周边被SiO₂绝缘层包围；在TSV制作粘附层和种子层，粘附层的材料为钛或钽，种子层的材料为铜，在TSV内填充铜材料。

2.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述Si衬底(101)的掺杂类型为N型，掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3，厚度为300μm～400μm。

3.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述隔离区(103)、所述第一TSV区(106)和所述第二TSV区(107)的深度为300μm～400μm。

4.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，还包括铜凸点(110)，设置于所述第一TSV区(1031)的第二端面和所述第二TSV区(1032)的第一端面上。

5.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述N⁺接触区(1021)、所述阳极(1022)之间、所述所述P⁺接触区(1023)和所述阴极(1024)上设置有有钨插塞。

6.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述第一互连线(108)和所述第二互连线(109)的材料为铜。