[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片金属电极制作方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池片金属电极制作方法，包括以下步骤：

S1：将硅片固定住，采用丝网印刷法依次用银浆和铝浆在硅片背面的不同位置进行印刷，烘干，制作电池的背电极和背电场；

S2：将硅片反转180度，采用丝网印刷法在电极细栅极所在的直线上平行印刷浆料A并烘干，形成接触电极；同时印刷用于确定电极位置的标记点；

S3：将硅片放在CCD相机下寻找标记点进行对位，对位后将硅片固定住，在接触电极上方用浆料B印刷金属主栅极和副栅极；

S4：烘干后，将电池片送至300-850℃的烧结炉中进行烧结，烧结的时间为30-50s。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片金属电极制作方法，其特征在于：S2中所述的浆料A以点状的状态印刷在硅片上。

3.根据权利要求2所述的一种晶体硅太阳能电池片金属电极制作方法，其特征在于：所述的点状浆料A的最大尺寸，小于或者等于细栅线的宽度。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片金属电极制作方法，其特征在于：所述的细栅极为分段的，在细栅极的分段处所述的主栅极与细栅极垂直相交。

5.根据权利要求4所述的一种晶体硅太阳能电池片金属电极制作方法，其特征在于：所述的浆料B形成的主栅极的下方印刷浆料A。

6.根据权利要求4所述的一种晶体硅太阳能电池片金属电极制作方法，其特征在于：所述的浆料B形成的主栅极的下方未印刷浆料A。

7.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片金属电极制作方法，其特征在于：包括4个所述的标记点，所述的标记点位于两条平行的细栅极之间，相邻的两个标记点的连线与细栅极平行或者垂直。

8.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片金属电极制作方法，其特征在于：S1、S2和S3中的烘干的温度为120-300℃；S4中的烘干的温度为200-350℃。

9.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片金属电极制作方法，其特征在于：所述的浆料A玻璃体含量高，能够穿透氮化硅膜与硅发射率形成良好的欧姆接触；所述的浆料B玻璃体含量低，不能穿透氮化硅膜，具有高电导率，能够有效收集浆料A导出的电流。