[发明专利]复合膜及其制备方法和应用有效
申请号: | 201711347694.6 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN109935731B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 程陆玲;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明提供了一种复合膜,包括层叠结合的富勒烯层和金属氧化物纳米颗粒层,在所述富勒烯层和所述金属氧化物纳米颗粒层的结合界面处,所述富勒烯层表面的富勒烯与所述金属氧化物纳米颗粒层表面的金属氧化物纳米颗粒通过分子桥交联结合,所述分子桥为‑NH‑R‑Si(O‑)3或‑SH‑R‑Si(O‑)3,R为烃基或烃基衍生物,所述金属氧化物纳米颗粒为n型半导体氧化物。
技术领域
本发明属于复合膜技术领域,尤其涉及一种复合膜及其制备方法和应用。
背景技术
在未来的新型显示技术领域中,通过印刷技术有望实现显示的产业革命,依据量子点发光二极管(QLED)以及有机发光二极管(OLED)为基础的显示元器件是技术研究的主题。
印刷和涂布是实现大面积显示技术的一种必要手段,通过印刷和涂布技术来制备大面的红绿蓝元器件(像素点)时会遇到的一些问题,如:像素点,尤其是蓝色像素点,效率不高、起亮电压高。目前对于这些技术问题的分析,主要以在实验室通过溶液法分别制备的红绿蓝器件作为研究对象,对其进行针对性的研究。
量子点发光二极管和有机发光二极管相应的器件结构基本相同,针对上述问题对器件性能进行优化时,都主要依据这些技术参数如起亮电压、器件效率、电流效率、寿命等来进行研究。而对器件的整体性能的改进,目前主要从两个方面进行研究:一是通过改进发光材料的荧光强度以及稳定性来提升器件效率和寿命;二是通过改进器件制备工艺来提升器件的效率和寿命。但通过改进器件制备工艺来提升器件的效率和寿命的现有技术,存在一些技术盲点:工艺改进基本基于发光层及其辅助功能层进行,很少对器件的电极(特别是阴极)进行改进,目前电极(阴极)基本都是通过蒸镀的方法来制备。对蒸镀方法的改进,只能改进电极的厚度,对电极的元素优化点单一、制备成本高并且对器件的效率以及起亮电压优化效果不大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种复合膜及其制备方法,旨在解决现有电极特别是阴极的(蒸镀)制备方法存在的电极优化点单一、制备成本高、对器件的效率以及起亮电压优化效果不大的问题。
本发明的另一目的在于提供含有上述复合膜的光电发光二极管器件及其制备方法。
为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
一种复合膜,包括层叠结合的富勒烯层和金属氧化物纳米颗粒层,在所述富勒烯层和所述金属氧化物纳米颗粒层的结合界面处,所述富勒烯层表面的富勒烯与所述金属氧化物纳米颗粒层表面的金属氧化物纳米颗粒通过分子桥交联结合,所述分子桥为-NH-R-Si(O-)3或-SH-R-Si(O-)3,R为烃基或烃基衍生物,所述金属氧化物纳米颗粒为n型半导体氧化物。
相应的,一种复合膜的制备方法,包括以下步骤:
提供金属氧化物纳米颗粒溶液、富勒醇溶液和硅烷偶联剂溶液,所述金属氧化物纳米颗粒溶液呈碱性,所述硅烷偶联剂溶液中硅烷偶联剂的通式为 Y-R-Si(OX)3,其中,OX为烷氧基,R选自烃基或烃基衍生物,Y选自氨基或巯基;
在基板上沉积金属氧化物纳米颗粒溶液,进行第一次退火处理,制备金属氧化物纳米颗粒固态膜;
在所述金属氧化物纳米颗粒固态膜表面沉积硅烷偶联剂溶液后,进行第二次退火处理,所述硅烷偶联剂通过Y与所述金属氧化物纳米颗粒固态膜表面的金属氧化物纳米颗粒交联,固化成膜后得到硅烷偶联剂修饰层;
在所述硅烷偶联剂修饰层上沉积富勒醇溶液后,进行第三次退火处理,所述硅烷偶联剂通过OX与所述富勒醇溶液中的富勒醇交联结合并固化形成富勒醇固态膜,得到复合膜。
以及,一种光电发光二极管,包括电子传输层,所述电子传输层为上述方法制备的复合膜,且所述阴极与所述复合膜中的富勒烯层结合。
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