[发明专利]一种MWT太阳能电池正面电极及其制备方法

说明书

本发明公开了一种MWT太阳能电池正面电极及其制备方法。MWT太阳能电池正面电极，包括设于电池基片正面的主栅线以及与主栅线连接的多条副栅线，每条副栅线与基片之间设有电极点，所有的电极点形成电极点阵；其中，电极点由穿透性金属浆料制成，主栅线及副栅线由非穿透性金属浆料制成。制备方法包括：制备基片；在基片正面制备电极点阵；在基片正面制备副栅线以及主栅线，串通分散的电极点；烧结。本发明采用降低了穿透减反膜浆料的用量，可以有效降低技术门槛和成本；由于第二次印刷采用不穿透减反膜的浆料，栅线本身可以做到更好的高宽比，降低栅线本身的电阻；降低了对减反膜的腐蚀，钝化效果提升。

技术领域

本发明涉及硅太阳能电池工艺技术领域，具体涉及到一种MWT太阳能电池正面电极及其制备方法。

背景技术

目前，晶体硅太阳能技术包括异质结太阳能电池(HIT)，背电极接触硅太阳能电池(IBC)，发射极环绕穿通硅太阳能电池(EWT)，激光刻槽埋栅电池，倾斜蒸发金属接触硅太阳能电池(OECO)及金属穿孔卷绕硅太阳能电池(MWT)等，其中MWT电池因其效率高，遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。

MWT晶硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面收集的能量穿过电池转移至电池背面，以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的。

现有技术在制备MWT太阳能电池正面时，通过丝网印刷的方式，采用能穿透氮化硅的银浆制备正面栅线电极，图1显示了常规MWT太阳能电池正面结构(图中：101-MWT电池正面电极；102-MWT电池电极孔洞；103-MWT电池正面电极主栅；104-MWT电池正面电极副栅)，正面栅线电极一次印刷完成。目前的MWT硅太阳能电池片工艺技术路线的缺陷：(1)由于栅线全部采用需穿透氮化硅的银浆，由于采用贵金属且技术门槛高，导致正面电极浆料成为电池制备过程的主要成本，如何降低正面电极浆料是业内的主攻方向。(2)由于栅线处全部腐蚀穿透氮化硅并形成欧姆接触，降低了氮化硅膜的钝化效果和载流子的复合，一定程度上降低了电池片的转换效率。(3)由于正面栅线需要兼顾穿透氮化硅，栅线本身的高宽比不能做到最高，从而影响了栅线本身的导电性。

发明内容

发明目的：为解决现有技术中的问题，本发明提供了一种MWT太阳能电池正面电极及其制备方法，提高电池性能，降低成本。

技术方案：本发明所述的MWT太阳能电池正面电极，包括设于电池基片正面的主栅线以及与主栅线连接的多条副栅线，每条副栅线与基片之间设有电极点，所有的电极点形成电极点阵；其中，电极点由穿透性金属浆料制成，主栅线及副栅线由非穿透性金属浆料制成。

本发明中，穿透性金属浆料是指能够穿透减反膜的金属浆料，同理，非穿透性金属浆料是指不能穿透减反膜的金属浆料。

穿透性金属浆料及非穿透性浆料均可采用目前常规的市售产品或人工配制，例如目前常用的正电极的浆料成分70-85％为银(质量分数)，有机载体8-12％，玻璃体为3％-5％，其中玻璃体组成(氧化铅)决定了是否穿透氮化硅，非穿透性金属浆料的产品有台湾硕禾530G-T2等，本申请并不依赖特定型号的浆料产品。

本发明还提供了一种MWT太阳能电池正面电极的制备方法，包括：

(1)制备基片，所述基片为已完成PN结扩散工艺、沉积有减反射膜并已经制备好背面电极、电场的硅太阳能电池基片；

(2)在基片正面制备电极点阵；

(3)在基片正面制备副栅线以及主栅线，串通分散的电极点；

(4)烧结。

电极点阵、副栅线以及主栅线均采用丝网印刷进行制备。

所述减反射膜为氮化硅减反膜。

本发明MWT正面栅线采用两次印刷制备：