[发明专利]用于薄膜晶体管的阵列基板及其显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

基板；

设置在所述基板上的栅电极；

有源层，所述有源层与所述栅电极相对，具有厚度不同的第一区域和第二区域，并且包含至少半导体材料和多个碳同素异形体，所述多个碳同素异形体分散在所述至少半导体材料中；

置于所述栅电极与所述有源层之间的栅极绝缘膜；以及

分别与所述有源层接触的源电极和漏电极，

其中，基于100重量百分比的所述至少半导体材料，所述有源层中的所述多个碳同素异形体以0.01重量百分比至1重量百分比的量被包含。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中：

所述有源层包括沟道区；以及

所述第一区域和所述第二区域与所述沟道区完全交叠。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中：

所述第一区域与选自所述源电极和所述漏电极中的任一个相邻；并且

所述第二区域与选自所述源电极和所述漏电极中的另一个相邻。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第一区域的厚度在3nm至10nm的范围内。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二区域的厚度为所述第一区域的厚度的1.5倍至3倍。

7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二区域的长度为基于所述沟道区的长度的50％至90％。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述碳同素异形体具有一维结构或二维结构。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述碳同素异形体包括以下中的一种或多种：还原的石墨烯氧化物rGO、非氧化的石墨烯、石墨烯纳米带、以及碳纳米管CNT。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述至少半导体材料包括以下中的一种或多种：陶瓷半导体、有机半导体、过渡金属硫族化物、以及氧化物半导体。

11.一种显示装置，包括：

基板；

设置在所述基板上的栅电极；

有源层，所述有源层与所述栅电极相对，具有不同厚度的第一区域和第二区域，并且包含至少半导体材料和多个碳同素异形体，所述多个碳同素异形体分散在所述至少半导体材料中；

置于所述栅电极与所述有源层之间的栅极绝缘膜；

分别与所述有源层接触的源电极和漏电极；

设置在所述源电极与所述漏电极之间的有机绝缘膜；以及

设置在所述有机绝缘膜上的像素电极，

其中，基于100重量百分比的所述至少半导体材料，所述有源层中的所述多个碳同素异形体以0.01重量百分比至1重量百分比的量被包含。

12.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：

电连接至所述像素电极的有机发光二极管；

设置在所述有机发光二极管上的封装层；以及

设置在所述封装层上的盖窗。

13.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：

公共电极，被设置为与在同一平面上的或在其下部的像素电极间隔开；以及

设置在所述公共电极上的液晶层。