[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，第一方向平行于衬底的主表面，第二方向平行于衬底的主表面且垂直于第一方向；以及支撑结构图案，其在衬底上被构造为将所述多个下电极彼此连接以支撑所述多个下电极，并且包括多个开口部分。所述多个开口部分具有在第二方向上比在第一方向上延伸得更长的形状，并且当从所述多个开口部分的内侧被观察时，所述多个开口部分在第一方向上凸出并且在第二方向上凹入。

技术领域

本发明构思的示例实施方式涉及半导体器件。例如，至少一些示例实施方式涉及包括减小电容器的下电极倒塌的可能性(或者防止电容器的下电极倒塌)的支撑结构图案的半导体器件。

背景技术

近期，由于存储器产品的集成已经由于小型化的半导体工艺技术的快速发展而加速，所以已经显著减小了单位单元的面积。例如，由于诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体器件的集成度已增加，因此器件所占据的面积已减小，因而电容器的下电极的高宽比显著增加。结果，下电极可能在电介质层形成之前倒塌或断裂。

发明内容

本发明构思的至少一些示例实施方式提供了包括支撑结构图案的半导体器件，该支撑结构图案可以减小电容器的下电极倒塌的可能性(或者，防止电容器的下电极倒塌)并且用于容易地形成电介质层和上电极。

根据本发明构思的一示例实施方式，一种半导体器件可以包括：在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，第一方向平行于衬底的主表面，第二方向平行于衬底的主表面并且垂直于第一方向；以及支撑结构图案，其被构造为将所述多个下电极彼此连接，并且在衬底上支撑所述多个下电极，支撑结构图案在其中具有多个开口部分，所述多个开口部分具有在第二方向上比在第一方向上更进一步延伸的形状，当从所述多个开口部分的内侧被观察时，所述多个开口部分在第一方向上凸出并且在第二方向上凹入。

根据本发明构思的另一示例实施方式，一种半导体器件可以包括：在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，第一方向平行于衬底的主表面，第二方向平行于衬底的主表面并且交叉第一方向，所述多个下电极包括多个第一下电极和多个第二下电极；以及支撑结构图案，其被构造为将所述多个下电极彼此连接，并且在衬底上支撑所述多个下电极，支撑结构图案在其中具有多个开口部分，所述多个开口部分的每个暴露所述多个第一下电极中的两个并且暴露所述多个第二下电极中的两个，其中所述多个第一下电极的剖面面积小于所述多个第二下电极的剖面面积。

根据本发明构思的另一示例实施方式，一种半导体器件可以包括：支撑结构图案，其被构造为在衬底上支撑多个下电极，支撑结构图案包括第一支撑结构图案和第二支撑结构图案，在其之间具有多个下电极，第一支撑结构图案和第二支撑结构图案分别在其中具有多个第一开口和多个第二开口，所述多个第一开口与所述多个第二开口对准，使得所述多个第一开口中的各第一开口和所述多个第二开口中的各第二开口在所述多个下电极中的四个之间在垂直于衬底的方向上延伸。

附图说明

本发明构思的示例实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解，附图中：

图1A是根据一示例实施方式的半导体器件的示意透视图；

图1B是用于说明根据一示例实施方式的半导体器件的第二支撑结构图案的俯视图；

图1C是根据一示例实施方式的半导体器件的沿图1A的线X-X'和线Y-Y'截取的剖视图；

图2A是根据一示例实施方式的半导体器件的示意透视图；

图2B是用于说明根据一示例实施方式的半导体器件的第二支撑结构图案的俯视图；

图2C是根据一示例实施方式的半导体器件的沿图2A的线X-X'和Y-Y'截取的剖视图；

图3A、4A、5A、……、10A是用于说明形成根据示例实施方式的图1A至1C的半导体器件的工艺的顶视图；