[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，所述第一方向平行于所述衬底的主表面，所述第二方向平行于所述衬底的所述主表面且垂直于所述第一方向；以及

支撑结构图案，其被构造为将所述多个下电极彼此连接，并在所述衬底上支撑所述多个下电极，所述支撑结构图案在其中具有多个开口部分，所述多个开口部分具有在所述第二方向上比在所述第一方向上更进一步延伸的形状，其中

所述多个下电极包括相对于所述多个开口部分布置在所述第一方向上的多个第一下电极和相对于所述多个开口部分布置在所述第二方向上的多个第二下电极，

在从所述衬底起的形成所述多个开口部分的高度处，所述多个第一下电极的剖面面积小于所述多个第二下电极的剖面面积，以及

当从所述多个开口部分的内侧被观察时，所述多个开口部分在所述第一方向上凸出并对应于所述第一下电极的剖面，并且在所述第二方向上凹入并对应于所述第二下电极的剖面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑结构图案包括：

第一支撑结构图案，其包括多个第一开口部分；以及

第二支撑结构图案，其包括多个第二开口部分，其中

所述第一支撑结构图案相对于所述衬底的所述主表面在比所述第二支撑结构图案更低的水平处。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述多个第一开口部分的每个的剖面面积小于所述多个第二开口部分的每个的剖面面积。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述多个第一开口部分和所述多个第二开口部分在垂直于所述衬底的所述主表面的方向上彼此重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述多个开口部分的每个暴露所述多个下电极中的四个的部分，以及

所述多个开口部分在所述第一方向和所述第二方向上暴露所述多个下电极的部分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个开口部分具有蜂窝结构，使得所述多个开口部分在所述衬底上的六边形的顶点处以及在所述六边形的中心点处。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个开口部分暴露所述多个下电极的全部。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个下电极包括：

具有柱型结构的多个下电极。

9.一种半导体器件，包括：

在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，所述第一方向平行于所述衬底的主表面，所述第二方向平行于所述衬底的所述主表面并且交叉所述第一方向；以及

支撑结构图案，其被构造为将所述多个下电极彼此连接，并且在所述衬底上支撑所述多个下电极，所述支撑结构图案在其中具有多个开口部分，所述多个开口部分的每个暴露所述多个第一下电极中的两个并且暴露所述多个第二下电极中的两个，其中

所述多个下电极包括相对于所述多个开口部分布置在所述第一方向上的多个第一下电极和相对于所述多个开口部分布置在所述第二方向上的多个第二下电极，以及

在从所述衬底起的形成所述多个开口部分的高度处，所述多个第一下电极的剖面面积小于所述多个第二下电极的剖面面积。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述多个下电极包括：

具有圆筒型结构的多个下电极。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中从所述多个第一下电极的所述剖面的中央部分到所述多个开口部分的最小距离小于从所述多个第二下电极的所述剖面的中央部分到所述多个开口部分的最小距离。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述多个开口部分布置在所述第一方向和所述第二方向上。