[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置

说明书

本发明公开一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层和半导体层；在形成有半导体层的衬底基板上形成导电材质层；对导电材质层进行刻蚀，得到源漏极层，其中，导电材质层上与半导体层接触的部位通过干法刻蚀工艺刻蚀。本发明有助于避免刻蚀过程对半导体层的电学特性的影响。本发明用于显示基板制造。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

显示基板是显示装置的主要显示部件，显示基板按照其结构可以分为刻蚀阻挡层(英文：Etch Stop Layer；简称：ESL)结构显示基板、背沟道刻蚀(英文：Back ChannelEtched；简称：BCE)结构显示基板和顶栅(英文：Top Gate)结构显示基板。BCE结构显示基板具有结构简单等优点，是未来研发的重点方向。

BCE结构显示基板包括衬底基板，以及，依次设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层(英文：Gate Insulator；简称：GI)、半导体层和源漏极金属层等，源漏极金属层包括源极和漏极，源极和漏极之间形成有沟道。BCE结构显示基板在制造时，首先在衬底基板上依次形成栅极、GI和半导体层，然后在形成有半导体层的衬底基板上形成金属材质层，通过湿法刻蚀工艺对金属材质层进行刻蚀得到源漏极金属层。

但是，受湿法刻蚀工艺的刻蚀精度的影响，在对金属材质层进行刻蚀时，位于金属材质层下方的半导体层会存在过刻现象(也即是半导体层被刻蚀)，影响半导体层的电学特性。

发明内容

本发明提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以避免刻蚀过程对半导体层的电学特性的影响。本发明的技术方案如下：

第一方面，提供一种显示基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层和半导体层；

在形成有所述半导体层的衬底基板上形成导电材质层；

对所述导电材质层进行刻蚀，得到源漏极层，其中，所述导电材质层上与所述半导体层接触的部位通过干法刻蚀工艺刻蚀。

可选地，所述对所述导电材质层进行刻蚀，得到源漏极层，其中，所述导电材质层上与所述半导体层接触的部位通过干法刻蚀工艺刻蚀，包括：

通过干法刻蚀工艺对所述导电材质层进行刻蚀，得到源漏极层。

可选地，所述在形成有所述半导体层的衬底基板上形成导电材质层，包括：

采用预设材料在形成有所述半导体层的衬底基板上形成导电材质层，所述预设材料包括金属钼、金属钽和钨化钼中的任意一种。

可选地，所述导电材质层包括至少两个子导电材质层，所述对所述导电材质层进行刻蚀，得到源漏极层，其中，所述导电材质层上与所述半导体层接触的部位通过干法刻蚀工艺刻蚀，包括：

通过湿法刻蚀工艺对所述导电材质层中，未与所述半导体层接触的子导电材质层进行刻蚀；

通过干法刻蚀工艺对所述导电材质层中，与所述半导体层接触的子导电材质层进行刻蚀，得到源漏极层。

可选地，所述在形成有所述半导体层的衬底基板上形成导电材质层，包括：

在形成有所述半导体层的衬底基板上形成导电材质层，所述导电材质层包括至少两个子导电材质层，所述至少两个子导电材质层中与所述半导体层接触的子导电材质层的形成材料为预设材料，所述预设材料包括金属钼、金属钽和钨化钼中的任意一种。

可选地，所述导电材质层包括三个子导电材质层，所述三个子导电材质层按照靠近所述半导体层到远离所述半导体层的形成材料依次为金属钼、金属铝和金属钼。